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곡선을 얻어 내기 위하여 VCE 값이 0.5V
1V 1.5V인것을 추가적으로 실험하였다.
▷ alpha 값은 0.995 계산 되었으며, 1에 가까웠다.
▷ beta 값은 조금씩 증가하였고, 거의 일정하다고 볼수 잇었다.
beta 값은 트랜지스터의 증폭도로, 전압에 영향을 덜 받
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2. 실험 절차
1)문턱 전압 Si, Ge 다이오드에 대해서 DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사 능력을 이용하여 문턱전압을 측정하라. 실험에서 구한 “문턱전압”은 다이오드에 대해 등가의 특성을 세울 수 있다. 각 다이오드에 대한 구해진 의
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곡선 추적기의 다이오드 검사기능을 사용하여 천이전압 V_T 를 결정하라.
VT = 708mV
반파정류
단계 1)에서 선택된 다이오드를 사용하여 그림 4-3의 회로를 구성하라.
저항의 측정치를 기록하라. 함수 발생기를 오실로스코프를 사용하여 1KHz, 8
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곡선 추적기, β 테스터로 측정된 β 값이나 혹은 규격표에 있는 공칭값을 사용하라.
,
(계산치) = 7.65KΩ
b. 를 측정하기 위해서 그림 17-2에 나타난 것과 같이 입력 측정저항 =1 KΩ을 연결하라. 입력 = 20mV를 인가하라. 오실로스코프로 출력파형에
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