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같도록 하여 단채널 효과를 피할 수 있다.
5. 참조
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000 1. 구조와 원리
2. MOS 정전용량-전압 분석
3. 증가형과 공핍형
4. 단채널 효과
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MOSFET의 입력임피던스는 J-FET에 비하여 수십배 또는 그 이상의 큰 값을 갖는다.
증가형(Enhancement Mode) MOSFET: 게이트 전압이 0일 때 전도채널이 없음
· 공핍형(Depletion Mode) MOSFET: 게이트 전압이 0일 때 전도채널이 있음.
1. N 채널 증가형 MOSFET
가.
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쉽고, 잘못된 사용시 진공관처럼 견딜 수 있는 능력이 없다. 실생할에서 쓰이는 곳은 오디오 엠프, 컴퓨터 칩 등에 많이 쓰이고PDP안에 회로에는 고내압MOSFET가 들어간다고 한다. 1.공핍형 MOSFET
2.증가형 MOSFET
3.MOSFET의 개발과 사용처
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MOSFET의 구조형태를 보인 것이다.
≪ 그 림 ≫
MOSFET의 동작 특성은 세부적인 구조에 따라 구분되는 공핍형(depletion-mode)이나 증가형(enhancement- mode)이 있다. 그림 5-20(a)는 n채널 MOSFET의 특성을 나타낸 것 이다. 공핍형에서 채널은 정상적으로
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공핍형 MOSFET)
: 공핍형 JFET와 유사하다.
라) 드레인 궤환 바이어스(증가형 MOSFET)
: on으로 구동되려면 Vt(임계값)보다 큰 G-S 전압이 필요하다. 게이트저항은 MOSFET을 on으로 하기 위해 적당히 큰 접압을 게이트로 가한다.
4) Reference
네이버지식in-부
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