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급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1.1
1) 실험1.2
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실 험 예 비 보 고 서
실 험
1. MOSFET 전압-전류 특성
학 과
학 번
성 명
1. 목적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 ( Metal Oxide Semiconguctor Field Effect Transistor : MOSFET) 의 드레인 전류에 대한 드레인 - 소스 전앞의 효과와 게이트 - 소스 효과,
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증가하는 입력누설전류를 갖는데 반하여, MOSFET에서는 온도의 영향이 최소가 된다. MOSFET는 오늘날 보편적으로 이용할 수 있는 온도의 영향을 적게 받는 반도체소자이다. 1장 Overview
2장 Hand Calculation
3장 Pspice Simulation
4장 실험결과
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특히 조심한다.
* 소자들의 Date Sheet
사용된 소자
Q1, Q2 : KTC3198
P Channel MOSFET : IRF4905
N-Channel MOSFET - IRFZ44V
D1~D4 : 1N4005
3. 참고 문헌
http://www.armory.com/~rstevew/Public/Motors/H-Bridges/Blanchard/figure-1.htm
http://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://minyoub.tistory.com/69
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값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다. 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
2.실험 결과 값
3.고찰
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MOSFET 특성 분석, 그리고 위상 변환 방식을 적용해 최적의 설계안을 모색했습니다. 반복적인 시뮬레이션과 실험으로 원인을 분석하고, 교수님과 동료들의 피드백을 반영하며 점진적으로 문제를 개선했습니다. 이 과정에서 체계적인 문제 분석
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