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전문지식 429건

이 문턱전압이다. 문턱전압을 측정하기 위한 또 다른 방법은 드레인 단자에 작은 전압(보통 0.05 V)을 인가하고 게이트 전압을 변화시키면서 드레인 전류를 측정한다. MOSFET의 개발과 사용처 MOSFET의 개발은 1960년 Bell Lab.에서 강대원 박사와 Atall
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  • 등록일 2003.12.10
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MOSFET의 차이점 ① 구조적 ② 기능적 JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든다. 이와
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  • 등록일 2008.01.17
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MOSFET의 차이점 ① 구조적 ② 기능적 JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)\'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든다. 이
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  • 등록일 2008.01.12
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전력처리능력을 갖고 구동이 쉽다는등의 장점때문에 차세대 전력반도체 스위치로 주목받고 있는 소자이다. 그림 - MCT(P 형) 그림 - MCT(P 형) 1. 다 이 오 드 2. SCR 사이리스터 3. GTO 사이리스터 4. 바이폴라 트랜지스터 5. MOSFET 6. IGBT 7. MCT
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  • 등록일 2009.04.23
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1. 탄소나노튜브 (Carbon nano tube) 1) CNT의 종류 2) CNT의 원자구조 및 특징 3) CNT의 합성 4) CNT의 응용 2. 풀러렌 (Fullerene) 1) 풀러렌의 성질 2) 풀러렌유도체의 합성방법 3) 풀러렌의 응용 3. 그래핀 (Graphene) Ⅲ. 마치는 말 Ⅳ. 참고문헌
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  • 등록일 2013.09.27
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논문 7건

단면을 구성하는 예비적 설계 적용치로서의 의미가 강할 뿐이지 안정한 사면을 조성하여 허가지를 개발하여 실제로 거주 및 목적사업을 추진할 주민의 입장에서 고려해야 할 안전에 대한 인식이 배제되어 있는 것이 사실이다. 이번 연구를
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  • 발행일 2013.04.18
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구조 (Structure) 1) 시장집중도 2) 수직적 통합 3) 수평적 통합 4) 제품차별화 5) 진입장벽 6) 탈퇴장벽 2. 행위 (Conduct) 1) 광고 2) 제품전략 3) 경쟁기업에 대한 전략적 대응 3. 성과 (Performance) 1) 다양성 2
  • 페이지 57페이지
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  • 발행일 2009.06.21
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  • 저자
향후 연구과제에는 고속도로 현장의 횡단면 자료를 수집하여 다양한 운전자를 대상으로 자료를 수집하는 동시에 도로의 등급, 기하구조 등 본 연구에서 적용하지 못한 변수를 종합적으로 고려하여 모형을 개발하는 노력이 필요하다. 
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  • 발행일 2010.04.12
  • 파일종류 아크로벳(pdf)
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  • 저자
개발 효과 소득의 증대 (원) 지가의 상승 (원) 대기 오염 오염물의 배출량 소 음 데시벨 (db) (5) 경제성 분석 결과 - 비용 및 편익 자료에 의거하여 도로사업의 경제성 분석을 수행하며, 분석 결과는 전통적으로 사용하는 비용편익비(B/C), 내부수
  • 페이지 16페이지
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  • 발행일 2012.02.21
  • 파일종류 한글(hwp)
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  • 저자
구조 및 협력관계 강화방안에 관한 사례연구』, 한국과학기술원, 2000 중소기업 중앙회, 『중소기업의 대기업 남품애로 실태조사』, 2005.5 중소기업청중소기업협동조합중앙회, 중소기업 실태조사, 2006 중소기업 협동조합 중앙회, 『중소제조
  • 페이지 25페이지
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  • 발행일 2014.04.30
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취업자료 11건

개발하려하나? 1500단어 18 기술 발전과 혁신: 19 문제 해결과 최적화: 19 기반 기술 지식의 확장: 20 산업 및 경제적인 이익: 20 교육 및 인력 양성: 20 ? 전자공학 대학원 입시 핵심문제와 기출문제 분석 21 1. 회로 이론 (Circuit Th
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  • 등록일 2024.09.14
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  • 직종구분 기타
개발 분야에서 핵심 기술 전문가로 성장하는 것이 목표입니다. 석사 과정을 통해 전력변환 시스템 설계 역량을 강화하고, 현장 경험을 쌓아 실무와 연구를 균형 있게 발전시키겠습니다. 이후 신기술 연구와 제품 상용화 과정에 적극 참여해
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  • 등록일 2025.07.21
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
만드는 데 기여하고 싶습니다. 특히, LV/MV MOSFET 제품의 성능 개선과 혁신을 위한 연구개발 환경에서 제 기술적 역량을 발휘하고자 합니다. 제가 참여한 이전 프로젝트에서는 소자의 전력 효율성을 향상시키고, 열 관리를 최적화하여 고속 스위
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  • 등록일 2025.04.22
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
구조 확인, SEM을 통한 접착면 단면 관찰 등을 수행하며 접착 메커니즘을 추론한 경험이 있습니다. 7. 입사 후 가장 우선적으로 기여하고 싶은 프로젝트는 무엇인가요? 고기능성 디스플레이용 저잔사 광학용 점착제 개발입니다. 고해상도 OLED
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  • 등록일 2025.04.25
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  • 직종구분 일반사무직
구조,반응 및 DRAM,MOSFET등 반도체 소자에 대해서 배울 수 있었습니다. 두 번째로 NCS반도체교육을 들으면서 반도체의 트렌드, 미래기술과 8대공정에 대해서 자세히 배울 수 있었습니다. 이를 통해 M,R,P램등 DRAM과 낸드플래시의 미세화,집적화 한
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  • 등록일 2025.04.06
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 전문직
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