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과 목 :
과 제 명 :
담당교수 :
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학 년 :
학 번 :
이 름 :
제 출 일 :
Thermal Conductivity
- Preliminary and Final Report -
1. Objective
To construct furnace or chemistry plants, we need insulating materials and equipment. Also need a lot of fundamental mathematic calculations about heat
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불순물이 섞여 있어서 이거나 기름을 추출할 때 너무 많은 양을 손실해서 일 것이라 생각된다.
<REPORT>
- 초임계 유체 결과레포트
생명분자공학부
199922734
김수혁 1. 실험 제목
2. 실험 목표
3. 실험 이론
4. 실험 결과
5. 토의
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작동원리
2-4. Electronics Workbench를 이용한 시뮬레이션
2-5. 비안정 멀티바이브레이터 회로제작
2-6. 비안정 멀티바이브레이터 작동결과
2-7. 오실로스코프를 이용한 파형측정결과
3. 결론 및 토의
4. 개인 조사
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측정하는 사람에 따라 오차가 발생할 수 있다.
특히, 세가지 측정 도구 중 수은 마노메터와 압전형 압력변환기의 측정결과와 부르동 압력계의 측정 결과 사이에 약간의 오차가 발생한 것을 볼 수 있는데, Fig.6, Fig.7의 그래프를 보았을 때 그래
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결과가 큰 폭으로 달라질 수 있을 것으로 추측된다.
** 오리진 프로그램을 이용하여 우리가 얻은 데이터와 비교한 피팅 그래프는 다음에 첨부하겠습니다!
<5> 발사각이 와 일 때, 수평 도달거리 측정
3. 힘의 분해
1) 실험 방법
발사 수직높
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결과 값을 적어 놓았다. 이와 다른 적정과 같이 어느 시점이 적정이 끝나는 점인지를 정확하게 알 수 없는 것이 실험의 가장 어려운 부분이었다.
두 번째 실험은 산도 실험으로 산도란 염기의 화학식 속에 포함되어 있는 히드록시기 -OH의 몰수
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결과
실험1) 일정한 힘에 의한 수레의 운동
- 첫 번째 그래프의 기울기는 12.2 이고 두 번째 그래프의 기울기는 6.04 이다.
따라서 가속도는
실험2) 힘의 크기 변화에 대한 물체의 가속도 측정
W
a
53.9 J
2.51 cm/s2
102.9 J
4.31 cm/s2
151.9 J
6.74 cm/s2
200.9 J
8.
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측정이 아닌 wafer의 물성에 의한 부착력의 차이를 알아보는 것이 가능하게 되었다.
부착력측정
Si wafer(Critical loads 20.01) 4000grid Ti wafer(Critical loads 6.78)
1 Ti wafer(Critical loads 10.65) 0.3 Ti wafer(Critical loads 12.09)
위 결과에서 보면 Si wafer의 값이 20.1로 최
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결과값을 정확하게 나오지 않게 하는데 한 몫했다. 1. Saybolt 점도계
1) 실험목적
2) 관계이론
3) 실험장치
4) 실험준비 및 방법
5) 실험상 유의점
6) 실험결과 및 보고서
측정결과 및 정리
점성계수 그래프
결과 정리
2. 회전형 점
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측정결과 값으로 무디선도를 그렸지만 이론적인 그래프를 얻지 못하였다. 이러한 오차를 만들게 된 원인은 실험 전 배관 내에 기포를 충분히 빼주지 못한 상태에서 측정을 한 것과 일정한 유량을 보내지 못하고 손실수두 측정에 관련된 고무
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