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측정하여 표 21.2의 2 난 VDB난 기록하라. 모든 측정이 끝났으면 신호 발생기와 오실로스코프의 전원을 차단하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 - 대한전자공학회, 2006, 교학사 Lab 21. Phase Shift Circuits (위상 편이 회로)
1. 실험목적
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기초기계공학실험(GS인터비전), 네이버 지식백과http://www.imadang.co.kr/tech-data/strain.htm 1. Strain Gauge의 원리 개요
2. Strain Gauge의 원리
3. 휘스톤 브리지
4. 게이지율
5. 보의 변형량을 이용한 변형률의 측정
6. 진동응답에 의한 탄성계수 측정
7
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=1mH로 대치시킨 후 =100, 500, 1k인 각각의 경우에 대하여 E-F 양단의 전압 파형을 관찰하고 묘사하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회) 1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
5. 참고자료
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측정한 후 표 14.4와 같은 순서로 합성 커패시턴스 를 구하라.
다음은 세 개의 커패시터를 병렬연결하여 위치시킨 후 위의 과정을 반복하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 199-220페이지)
- 회로해석 ( 임제탁 김
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저항을 이용하여 새로운 회로를 연결한다. 표준 arm R3는 최대 설정값(10k)에서 나타낼 것이다.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 2006년, 125-133페이지) 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
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실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4.
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실험 목적
2 이 론
1) 디지털 오실로스코프의 작동원리
2) 각각의 저항에서 부분전압 계산법
3) RC 회로
4) CR 회로
3 오실로스코프 단자 및 스위치 기능
4 저항계산
1) 전압측정 및 분석
2) 오차해석
5 RC 및 CR 그래프 및
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2, 흑=0, 배수=, 오차=5% 이므로,
20 * = 200 KΩ 5%
고밀도 저항의 경우 5개의 띠로 표시되는데, 군용기기 제작에 사용되는 저항기가 하나의 좋은 예입니다.
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실험에서는 온도측정이 중요하기 때문에 가열 된 증류수에서 다시 상온증류수 온도를 측정할 때에는 수열량계에 물을 부어 식혀주어서 외부와 열적인 평형상태를 이루는 것이 중요하다. 염화칼슘은 겨울에 제설작업을 하는데 많이 쓰이는
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❍ 기 본 원 리
❒ 실 험
❍ 사용 시약 및 기기
❍ 실 험 순 서
❍ 실 험 결 과
❒ 실험 결과 해석 및 고찰
❍ 실험 결과 해석
❍ 고 찰
❒ 정보 조사 내용
❍ 참 고 문 헌
❍ 정보조사 내용
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