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실험 방법
높은 고온으로 설정
낮은 온도 (1번과 온도차를 이용함)
각 버튼을 누르고 각 실험치를 구함
버튼을 누르고 그에 맞는 수에 맞춰줌
전체적인 장비구성도
5. 결과
실습장 : 실온 26도
온도(‘C)
E (mV)
T (mV)
J (mV)
K (mV)
91
0.529
2.525
3.100
2.409
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저항을 이용하여 새로운 회로를 연결한다. 표준 arm R3는 최대 설정값(10k)에서 나타낼 것이다.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 2006년, 125-133페이지) 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
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공학기초실험 신형식 편저
2. 물리화학, Gorden M. Barrow, 자유 아카데미, 1993
3. Physical chemistry third edition, Gilbert W. Castellan Chaptet 5
4. http://mbel.kaist.ac.kr/lecture/che201/experiment2000.htm
5. http://www1.kisti.re.kr/%7Etrend/Content524/chemistry07.html
6. http://www.kordic.re.kr/%7
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실험 목적
2 이 론
1) 디지털 오실로스코프의 작동원리
2) 각각의 저항에서 부분전압 계산법
3) RC 회로
4) CR 회로
3 오실로스코프 단자 및 스위치 기능
4 저항계산
1) 전압측정 및 분석
2) 오차해석
5 RC 및 CR 그래프 및
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2, 흑=0, 배수=, 오차=5% 이므로,
20 * = 200 KΩ 5%
고밀도 저항의 경우 5개의 띠로 표시되는데, 군용기기 제작에 사용되는 저항기가 하나의 좋은 예입니다.
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실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성) 1. 목적
2. 실험장비
3. 장비목록
4.
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실험기기들을 다시 점검해야 한다고 생각한다.
7. 인용문헌
1. McCabe, Smith, Harriot : Unit operation of Chemical Engineering, 5th ed. 3. Harriot, J. A. : Ind. Eng. Chem.,
2. Perry, J. H. (ed.) : Chemical Engineers' Handbook, 6th ed., McGraw-hill, New York, 1984.
3. 화공생명공학실험 TEXT
8
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측정 기능이 없다. 그 이유를 논하라.
(7) 일반 멀티미터와 디지털 멀티미터의 주된 특성상의 차이점을 논하라.
(8) 디지털 멀티미터에서 전압 측정 범위별로 전압계 감도를 구하라.
Ⅴ. 참고문헌
기초전기전자공학실험
→ 곽경섭외 (주)교학사
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측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커패시터의 D지수 등을 측정하는데 이
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측정값도 변하게 된다.
② 수치적인 해석
실험을 첫 번째는 비커의 중심에서, 두 번째는 비커의 가장자리에서 하였다. 그때 동일한 각속도에서 나타나는 토크가 다르게 나타나는 현상을 수식으로 전개한 이론값과 실제가 얼마나 동일한지 비
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