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회로가 증가함으로서 전류가 흐를 수 있는 경로가 증가하여 회로의 전도성을 증가시키기 때문이다. 그 결과 병렬회로 전체의 저항은 병렬로 연결된 어느 저항보다도 적은 값을 가지게 된다.
R = R1*R2/R1+R2
실험4
(1) 저항 R1-R3-R4의 루프를 흐르
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기초전자회로실험 (인터비젼) 교재 외
Micro electronic Circuits SedraSmith (OXFORD), NAVER
(4) PSPICE를 이용한 시뮬레이션
실험 10. BJT의 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
(1) 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로(=0)
(4) 콜렉터 궤환회
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구성하지 못할 것이므로, 주어진 저항들고 최대한 비슷한 값으로 구성하도록 노력한다.
6. 참고문헌
- 기초전자실험 with PSpice
P.115~127 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 소개
2-2 기초 이론
2-3 소자(부품) 소개
2-4 테브난의 정리 설명
3
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실험 결과
(1)R1, R2 = 2k , RL = 3.3k
A쪽으로 회로 연결시의 IL :
Rn :
⑵ Rn = 1k , RL = 3.3k
IN IR
4. 결과 및 토의
노튼도 테브난과 유사한 특징을 가지고 있고 장점도 유사하다. 그렇다면 노튼과
테브난은 어떤 차이가 있을까? 테브난 정리와 노턴의
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항값은 직병렬 회로 공식을 적용하여 단자에 걸리는 값을 계산할 수 있다.
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘테브난의 정리’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출
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