|
회로설계를 위한)반도체 공학(형설출판사, 2003), p 76~82
한국공업화학회 편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html 실험제
|
|
|
회로를 결선하여라.
⑨각 전류계에 흐르는 전류를 계산하고 측정하여 표4.3(b)에 기록하고 회로 전체에 흐르는 전류를 계산하고 측정하여라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 2006년, 41-52페이지)
- http://100.naver.com/1
|
|
|
실제로 성립한다는 것을 볼 수 있다.
6. 참고
<김상배 저, 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
http://www.multispace.co.kr/junki/dc/ 1. 실험의 목표
2. 기본이론
3. 사용 기기 및 부품
4. 실험방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고
|
|
|
실습장에서는 0.2 [mSec]로 초기값을 놓고 실습을 하게 된다. 또 X-Y상태는 리사주 도형을 관찰할 수 있다. 전기 안전
전기 기초 이론
전류에 의한 자기현상
전기기기
전동기의 원리
회로시험기, 전류계, 전압계를 이용한 전기측정
|
|
|
실험을 통해 고등학교에서 이론적으로만 배운 전기 기초이론을 실험을 통해 확인할 수 있었고 등전위면과 그 성질에 대하여 확실하게 이해할 수 있었다.
8. 참고문헌
물리, 동아학연사, 공업교육연구소편, 1983 p.160-3
일반물리학, 광림사, 권영
|
|
|
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분배기와 소스 바이어스
1)
|
|
|
Giorgio rizzoni
3. Inductance Calculation, Frederick W. Grover
4. Basic Electronics, Grob
5. Field and Wave Electromagnetics, Cheng
6. Introduction to Electrodynamics, Griffith
7. 전자회로 실험, 김재석, 한건희
8. 전자회로 기초 및 응용, 남상엽
9. 전기공학부 회로이론 없음
|
|
|
회로를 기초로 를 추정해 보고 이 값을 실험적으로 구한 값 와 비교해 보시오.
-> ＝１／（2ｐi * 100* 1uF) = 1.47kΩ
E4.2 고주파응답
측정 :
a) node에 10kHz 의 sine 파형을 인가한다. 노드 S, C 간의 전압이득에 3dB 떨어질 때까지 주파수를 올려
|
|
|
실험실 http://imal.cnu.ac.kr
-서울대학교 컴퓨터 전자공학부 nml.snu.ac.kr
-목원대학교 전자공학과 홈페이지
-<박막 프로세스의 기초> ,김원찬 저 ,피어슨에듀코리아, 2000년 1.박막공정
1.1. 박막공정의 정의
1.2. 박막공정의 과정
2. 세척
|
|
|
리
63.54
1(알)
8.93
63.54
0.6585
2.373
구 리
63.54
2(산)
8.93
31.77
0.3293
1.186
니 켈
58.71
2
8.9
29.36
0.3041
1.095
크 롬
52.01
6
7.1
8.67
0.0899
0.324
아 연
65.38
2
7.1
32.69
0.3388
1.219 1. 실험재목
2. 실 험 자
3. 목 적
4. 이론 및 측정원리
|
|
메뉴펼치기
