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나노 반도체소자는 인텔에서 개발한 게이트 길이가 20nm이지만 우리는 한국과학기술원(KIST)에서 2000년에 겨우 50nm 반도체 소자를 개발한 상태이다. 특히 나노바이오 분야에서는 미ㆍ일 선진국과 더욱더 큰 기술격차를 보이고 있다. 따라서 연
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자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소
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분야에서 글로벌 리더로 자리매김하고, 과학기술의 발전을 통해 인류 복지에 기여하는 것을 궁극적인 목표로 삼고 있습니다. 지스트 GIST 자기소개서-광주과학기술원
1.고등학교 재학 기간 중 자신의 진로와 관련하여 어떤 노력을 해왔
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자기소개서란 이런 것이다, 김영사, 2008
◈ 학업계획서, 자기소개서 작성 및 면접, 완전판, 계림, 2005 Ⅰ. 서론
Ⅱ. 커버레터의 의의
Ⅲ. 커버레터의 원칙
1. 커버 레터는 특정인에게 보내는 것이어야 한다
2. 절대 실수를 하지 않도록
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A M ,”IEDM Tech. digest, 407 (2003)
[28]
[29]
[30] 1. 서론
2. MEMS
2.1 개요
2.2 활용
- 잉크젯 프린터
- 광섬유
- MEMS에서의 센서
- 마이크로 펌프
3. 기타미세제조기술
3.1 베어링
3.2 혼성집적회로기판
3.3 칸소나노튜브
4. 결론
5.
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