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TIME/DIV, VOLTS/DIV를 각각 얼마로 조정해야 하는가? (수평축은 10 DIV, 수직 축은 8 DIV로 나뉘어져 있다. 최대전압이 화면을 벗어나지 않도록 해야 한다.) * 수식와 표, 그래프가 많아서 요약이 안되네요. 1. 목적 2. 실험 준비물 3. 실험계획서
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  • 등록일 2007.02.01
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전력계, 분석계 등 폭 넓은 분야에 이용되고 있다. 바) 바리스터(Varistor) 형성사진 상세 사항 ① 대칭형 바리스터와 비대칭형 바리스터로 구분 ② 가해지는 전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해 저항이 정해지는 대칭형 바리스터와
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  • 등록일 2013.12.06
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전자공학 분야에서의 학습과 연구에 중요한 밑바탕이 될 것이다. 1. 실습 목표 2. 필요한 장비 3. 설계 실습 개요 4. 회로 이론 및 원리 5. 회로 설계 과정 6. 실습 절차 7. 결과 분석 8. 문제점 및 개선 방안 9. 결론 및 요약 10. 참고 자료
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  • 등록일 2025.04.12
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IR1 = (24V - 10V) / 49㎃ = 244Ω 따라서 최소 저항값은 244Ω이고 최대 전류는 49㎃이다. 목차 Ⅰ. 실험결과(제너 다이오드 로우딩) A. 제너 다이오드에 부하저항을 연결한 경우 B. 부하저항을 변화시키는 경우 Ⅱ. 검토사항 Ⅲ. 연습문제
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  • 등록일 2007.04.20
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및 방전의 특성에 미치는 영향을 명확히 확인할 수 있었다. 이를 통해 콘덴서의 작동 원리와 전기 회로에서의 역할을 더욱 깊이 이해하게 되었다. 따라서 콘덴서의 충전과 방전 현상은 단순한 실험을 넘어 전자기기 설계 및 전력 시스템에서
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통해 OPAMP가 신호 처리에 있어 매우 유용한 부품임을 확실히 알 수 있었다. 1. 실험 목적 2. 이론적 배경 3. 회로 구성 및 설계 4. 실험 방법 5. 데이터 수집 6. 결과 분석 7. 결과 해석 8. 결론 9. 향후 연구 방향 10. 부록
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Blog) http://blog.naver.com/hyukjin8383?Redirect=Log&logNo=80029667536 I. 서론 II. 본론 A. MOSFET i. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ii. MOSFET의 종류 B. MOSFET의 구조 및 동작 i. EMOS(증가형) FET ii. DMOS(공핍형) FET C. MOSFET의 보호회로 III. 결론 IV. 참고사항
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및 당면과제 차량시스템별로 공통된 사양이 적용될 수 있는 일반적인 사양 및 신호체계 등이 호환성을 유지할 수 있도록 경전철 관련 표준화체계 구축하여 활성화 한다. 따라서 승객, 서비스, 운영 등 표준화 핵심 대상과 기술발전에 유연하
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이를 바탕으로 한 다음 단계의 연구가 더욱 기대된다. 1. 실험의 목표 2. 실험에서 얻은 데이터 a. MOSFET 벅 변환기 b. MOSFET 부스트 변환기 3. 실험 결과에 대한 논의 a. 출력 전압의 오차 분석 b. 스위칭 레귤레이터의 효율성 4. 최종 결론
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있었다. 다음 실험도 회로를 구성하여 전류 및 전압을 측정하는 실험이다. 예습을 많이 하여 실험을 하는데 어려움이 없도록 노력해야겠다. 1. 실험목적 2. 관련이론 3. 실험 기기 및 부품 4. 실험방법 5.실험 결과 6. 고 찰
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