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Blog) http://blog.naver.com/hyukjin8383?Redirect=Log&logNo=80029667536 I. 서론
II. 본론
A. MOSFET
i. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
ii. MOSFET의 종류
B. MOSFET의 구조 및 동작
i. EMOS(증가형) FET
ii. DMOS(공핍형) FET
C. MOSFET의 보호회로
III. 결론
IV. 참고사항
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특성을 관찰한다.
3. 실험장치
- 2N7000, FDC6329L
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
- Breadboard, Jumping wire
- 저항, 캐패시터
≪ … 중 략 … ≫
5. 토의 및 오차해석
실험 2. Invertor 동작 특성 관찰
본래 이 실험은
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전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
[그림 7] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
[그림 8] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄. 1. MOSFET이란?
1.1 MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
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보면 Drain 전압이 증가함에 따라 Drain 전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
n-채널 MOSFET
p-채널 MOSFET 1. 목적
2. 이론
1)MOSFET의 기본원리
2) MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3) 피스파이스 시뮬레이션
- N채널
- P채널
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4. 각각의 VGS에 대해 X축을 VDS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 λ, r0를 계산한다. ① 전계-효과 트랜지스터(FET)
② 전류 전도를 위한 채널의 형성
③ MOSFET의 동작 영역
⑤ 포화 영역에서의 동작
① Vt 측정
② NMOS의 I-V 특성 곡선
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