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커지고 즉, 에너지가 커져야 하는데 이것에 대한 의문은 LD의 안좋은 상태와 요동치는 결과값 문제가 이러한 이유인 것 같다. 마찬가지로 오차 발생의 영향을 미칠 수 있는 문제였다. 1.데이터 및 결과(Data and Result)
2. 결론(Conclusion)
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결과적으로 순방향 Bias일 때 정공들은 n영역 쪽으로 이동하고 자유전자는 반대로 p영역 쪽으로 이동하기 때문에 공핍층의 두께가 얇아져서 ‘전류가 흐른다.’라는 이론을 확인할 수 있었다. 1.데이터 및 결과
2.결과
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다이오드의 특성변화였지만 온도뿐만 아니라 빛에 대한 영향도 볼 수 있었다. 실험을 할 때 빛을 차단하는 것과 차단하지 않을 때 전류 특성이 달라지는 것을 볼 수 있었다. 1. 실험 목표
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
2.2. InGaAs DIODE
3. Simulati
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data recovery 10
3.1 클럭 / 데이터 복원회로(CDR) 10
3.1.1 위상 동기 회로(PLL) 12
3.1.2 위상 주파수 검출기(PFD) 14
3.1.3 전하펌프 루프 필터(CP, LPF) 15
3.1.4 전압제어 발진기(VCO) 16
3.1.5 데이터 복원단(D-FF) 17
3.2 10Gbps CDR 설계
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다이오드
근사회로 (기울기는 )
전압 강하(Barrier 전압)
의 형태가 된다. 실험 1)에서 좀더 정밀한 데이터를 산출 했다면 더욱 근사화된 회로를 얻는 것이 가능했을 것이다.
실험 3) 실험 결과 다이오드에 걸리는 전압 강하가 높을 수록 Power Cons
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