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Si> <Ge>
Si와 Ge는 각각의 동작전압이 있다. 이론에 따르면 Si와 Ge의 동작 전압은 각각 0.7V, 0.3V이다. 이 각각의 동작전압만큼 Si, Ge의 출력파형은 입력파형에 비해 손실이 크게 생긴다.
실험결과에서는 이론에서 예상한 0.7V, 0.3V와 같은 수
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실험기구
직류 전원 (6 V, 60 V, DC)
저항 (33 , 33 k , 2 W), 가변저항 (25 k , 2 W)
다이오우드 (1N100 [Ge diode], 1N914 [Si diode])
Multimeter (2 개)
4. 실험 방법
(1) 다이오우드의 순방향 전류-전압 특성
1) 그림 6의 회로를 만들되, Si 다이오우드를 사용하시오. 다
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다이오드의 원리
<그림1-2> 발광 다이오드의 원리
<그림2-1> Ammonothermal 방법에 의한 GaN 결정성장
<그림2-2> 패키징 형태 (램프, SMD)
<그림3-1> 자동차 LED
<그림6-1> HVPE의 개략도
<그림6-2> (Ga+In) 혼합소스 합성 개략도
<그림6-3> 3족 질화물 반도체
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실험결과
실험 1. Half-Wave Rectifier
≪ 그 림 ≫
[1-1] C가 없을 때 입력 정현파와 출력 파형을 측정하여 비교하시오.
≪ 그 림 ≫
C가 없을 때의 회로이므로 사전 보고서를 작성 할 때 시뮬레이션 했던 왼쪽 그
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실험이었고 그 결과는 위의 실험 결과에 첨부한 사진과 같이 나왔다. 우리가 알고 있는 일반적인 미분/적분 연산의 관계 그대로 입력 파형에 대한 출력 파형이 결정됨을 알 수 있었다.
사전 보고서에서 미분기의 입 출력 파형의 관계를
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