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MOS 회로
<CMOS타입 NAND 게이트> <NAND게이트의 논리기호>
◆NOR 게이트의 MOS 회로
<CMOS타입 NOR 게이트> <NOR게이트의 논리기호>
2. 실험 결과
<표 35-1>
[V]
[V]
[V]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[mA]
계산값
12.036
0.075
2.56
11.4213
0.1142
22.7758
측정값
12.111
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실험목적
- 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
이론개요
- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반
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있기 때문에 전류차이가 생기게 된다.
LM 741의 내부구조이다. 필요 부품 및 기기
부품 설명
이상적 연산증폭기란
방법
결과 분석
각 회로및 기기에 대해서
실험 결과
각 실험들의 계산 과정 및 오차
결론
OP AMP의 구조
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실험절차 : 그림 06-07] BCD 가산기
[1] 회로를 초기화 시키기 위해 SimInit 버튼을 클릭한다.
[2] 각 소자의 출력값을 보기 위해 showOutput 버튼을 클릭한다.
[3] T 버튼을 클릭하여 회로의 동작모드를 toggle 모드로 설정한다.
[4] 이 회로는 4비트 이진병
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회로를 하나더 설계해 보았다. D플립플롭을 하나 더 사용하여 쉬프트 레지스터처럼 사용한 후 각각의 출력 값을 원하는 값으로 AND를 시키면 원하는 값일때 출력이 나오지 않을까 하는 의문이 들어서 실험해 보았다.
신호가 0101이 들어오면 앞
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실험재료 :
식 (8)을 이용하여 대입하여 풀면, 이론치는 다음과 같다.
■ 변형율 이론치
단계
추의 무게 (g)
변형율(ust)
증가
초기
0
0
1
30
39
2
60
78.1
3
90
117.1
4
120
156.1
5
150
195.2
6
180
234.2
7
210
273.2
■ 오차 계산
식 (9)를 이용하여 오차를 계산한다.
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실험실에서 사용하고 있는 오실로스코프(모델명: DL154DC) 너무 오래된 장비인거 같아서 자료가 없네요 그래서 다른 기종을 조사했습니다. 1 오실로스코프의 내부 구조
(a) 전자총 부분의 구조 및 원리도
(b) 편향판의 전위에 따른 전자빔의
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디지털 회로설계 강의시간에 아직 공부하지 않은 내용이라 이해하는 데에 좀 어려움이 있었지만 가상 시뮬레이션을 통해 어느 정도 개념을 이해할 수 있었다. 실제 실험을 통해서는 더 많은 것들을 배울 수 있을 것 같다. 디바운싱 회로에 대
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실험 목적
․ 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
1. 고정 전압의 순방향 바이어스의 경우
2. 고정전압의 역방향 바이어스의 경우
3. 다이오드 순방향 특성 곡선
4. 다이오드 역방향 특성곡선
※
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디지털 멀티메터로 측정하여 기록한다.
또한 Vripple값을 실험B방으로 측정하여 기록한다.
RL의 값을 바꾸어 가면서 각각의 경우의ㅏ 출력의 직류 전압 VDC값과 Vripple값을 각각 측정한다.
그림 4- 안정화된 직류 전원 공급기 I. 목 적
II. 이
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