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디지털 카메라 등의 메모리가 이에 해당한다.
■ 차세대 메모리
PRAM (Phase Change RAM), FRAM (Ferroelectric RAM), MRAM (Magnetic RAM) Ⅰ. RAM (Random Access Memory)
1. 개념
2. 필요성
3. 저장 방식과 구성
4. 성능(access time)
5. 종류 ( 논리회로를
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회로
(6) 그림4-9의 회로를 결선하고 입력 W, X, Y, Z의 변화에 따른 출력 F값을 측정하라.
그림4-9 간략화 회로
5. 참고자료
① TTL응용 실무 / Don Lancaster / 한국과학원 / 1977. 6. 30 / p.37 ~ p.119
② 디지털공학실험 / 이병기 / 喜重堂 / 1992. 2. 25 / p.29 ~ p.38
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회로를 만들어 보았다.
Input
Output
xa
xb
y0
y1
y2
y3
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
4. 실험에 필요한 이론
(1) 실험에 사용할 소자들의 Data Sheet
(2) 논리연산게이트
디지털 컴퓨터는 각 부품의 전기, 자기 특성상, 2개의 상태만을 표현하는 방법
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디지털 실험기판 위에 비동기식 카운트-업 카운터 회로 (a)를 구성하고 CLR을 0→1로 하여 모든 플립플롭들을 해제(clear)시키고 CLK에 클럭 펄스를 하나 씩 트리거시키면서 Q3~Q0의 논리상태를 측정하여 표 1(a)에 기록한다.
(2)비동기식 카운트-다운
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-Power Point
자료
-충분히 이해하는 지를 파악한다.
-평가 문제를
푼다. 대단원 : 디지털 논리 회로
소단원 : 1) 수의 표현
2) 2진-10진수 변환과 2진수의 사칙 연산
3) 기본 논리 소자
4) 논리 대수와 기초 논리 회로
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회로도
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3. 팀 구성 및 역할 분담
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논리함수 f(X1X2X3X4)=m(0, 1, 2, 3, 6, 8, 9, 10)에 대해 CMOS 복합 게이트를 설계하라.
[3](a)VIH=4V , VOH=4.5V, VIL=1V ,VOL=0.3, VDD=5V 일 때 잡음여유 NHH 와 NML을 구하라.
[4]그림 3.66과 같은 형태의 그림을 이용하여 f (X1X2X3)=m(0, 1, 2, 4, 7)을 구현하기 위해 프로그
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회로 결선하라.
그림1-6 OR 게이트 회로 결선
(3) NOT 게이트
- 그림1-7과 같은 NOT 게이트 회로 결선하라.
그림1-7 NOT 게이트 회로 결선
5. 참고자료
① TTL응용 실무 / Don Lancaster / 한국과학원 / 1977. 6. 30 / p.37 ~ p.119
② 디지털공학실험 / 이병기 / 喜重
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디지털공학실험 / 이병기 / 喜重堂 / 1992. 2. 25 / p.125 ~ p.136
③ 디지털 시스템 / 송상훈 외7명 / 인터비젼 / 2005. 3. 28 / p.288 ~ p.293
④ http://blog.naver.com/jinaur?Redirect=Log&logNo=150009035765 1. 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 부품정보
4. 실험과정 및
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회로를 구성한다
(5)Clear 입력에 0->1로 하여 Q1Q2=00으로 만든다.
(6)클록입력에 펄스를 주어서 Q1Q2의 상태표를 기록한다.
5.Reference
디지털 회로 실험 <한양대학교>
디지털 논리 회로 <John M. Yarbrough> 1.제목
2.실험 목적
3.관련
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