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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙과 저항의 직렬 병렬 R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙
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다양한 기본적인 연산증폭기를 알아보고 실험을 통해 전압을 측정하여 각각의 증폭기 회로를 해석하는 것이 이번 실험의 목적 요약문 1
실험내용 1
실험결과 3
문제점 및 애로사항 5
설계프로젝트 진행사항 5
결론 5
(별지) 측정 Datasheet
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클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
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반파 및 전파 정류 회로 실험에서는 다이오드와 저항을 이용하여 구성한 정류 회로도에 입력으로 정현파 전압을 인가하여, 각 소자에 걸리는 전압을 측정함으로써 다이오드의 정류 기능을 알아보았다. 정류 회로는 다이오드가 ‘순방향 바이
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전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
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단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datasheet 5
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실험을 반복하라.
Ra(V) = 5V, Rb(V) = 5V
B-1. 10㏀ 저항들을 사용하여 실험을 반복하라.
Ra(V) = 5V, Rb(V) = 5V
2. 전류측정
목적 : 노튼회로를 구성하여 보고 측정해본 후 이론값과 비교하여 본다.
다음과 같은 회로를 구성하라.
+
10V
-
A. 전원의 전압이
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실험이었다. 016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
018. JFET 바이어스 회로 설계
019. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
020. 다단 증폭기 (RC 결합)
021. 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
022. 차동 증폭기 회로
023. 선형 연산 증폭기 회
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회로에서 Damping Ratio가 1보다 커지도록 저항을 변경하고 2)를 반복하시오.
<저항을 120kΩ)으로 재 설계 후 실험을 시작.
Frequency
100
200
500
1k
2k
5k
10k
20k
50k
100k
Magnitube
680mV
520mV
280mV
200mV
120mV
120mV
240mV
240mV
240mV
240mV
위의 표에서 확인 되듯이, 주파
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