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실험 결과 및 검토 실험결과를 살펴보았을 때 대체적으로 이론값과 실험값이 비슷하게 나온다는 것을 볼 수 있었다. 이번 실험을 통하여 OP AMP 소자가 비이상적이지만 어느 정도 회로이론이나 전자회로 시간에서 배웠던 특성을 눈으로 확인할
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  • 등록일 2009.05.06
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회로 소자 이외에, 다른 곳에서 발생하는 전압차의 존재를 오차의 원인으로 추측할 수 있다. 그러나 근사한 위상차를 실험 과정의 계산을 통해 얻을 수 있었다는 점에서 VC = sin(2πft) 일 때 IC = C(dv/dt) = 2πf × Lcos(2πft) VC = XC × IC = (1 / jωC) × IC
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  • 등록일 2011.10.02
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회로로 놓는다.) 3. 사용 장비 및 부품 직류 전원 공급 장치 함수 발생기 오실로스코프 디지털 멀티 미터 MOSFET : 2N7000TA (1개) 저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 다수 커패시터 : 1μF (전해, 1개), 2.2μF (전해, 1개), 330μF (전해, 2개) 4. 실험 방
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  • 등록일 2015.10.02
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실험 실험 12-1 시프트 레지스터 회로 1. 실험 목적 - 레지스터의 구조와 동작원리를 이해합니다. 2. 소요 계측기 및 부품 - DC power supply, 오실로스코프, 7404, 7476 2개 3. 실험 과정 - 7476과 7404 IC 핀 배치도를 참조하여 시프트 레지스터 회로를 구성
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  • 등록일 2013.12.28
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실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의 원인 발견을
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실험 1. 아래의 실험조건에 맞게 <그림 14.5>의 회로를 구성하라. ■ 실험조건 : : 펄스파형(=5[V], =0[V], 주기=1[ms]) R=10[k], C=0.01[F] (1) 오실로스코프를 사용하여 (t)를 관측하고 이 파형을 (t)파형에 겹쳐 그려라. (2) <그림 14.6>에서 과 를 측정
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회로이고 게이트 바이어스보다는 안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다. 전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목 2.목적 3.기본이론 4.실험방법  (1)사용 기계  (2)사용 부품 5.결
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  • 등록일 2012.04.30
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실험에서 저항 만 있을 때의 회로의 저항은 주어진 저항이 1KΩ과 거의 동일하게 나왔다. 두 번째 실험에서 저항 과 가 직렬로 연결되어 있을 때에는 을 따라 전체저항이 2KΩ을 나타냈다. 세 번째 저항 과 가 병렬로 연결되어 있을 때에는 직
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  • 등록일 2010.04.13
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실험순서 1) 그림 1-4(b)의 회로를 결선하라.1kΩ저항 양단의 전압값이 표1-1과 같이 되도록 직류전원 공급장치를 조절하라.각각의 전압에서 다이오드 양단의 직류 전압강하 를 측정하여 기록하라.다이오드의 전류는 1kΩ의 저항을 통하여 흐른
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  • 등록일 2014.01.16
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실험하였을 때는 오차가 거의 없었는데 최소로 하고 실험을 했을 때는 오차가 많이 생겼다. - 예상 원인: 가변저항의 오차, β값의 변화, 멀티미터의 오차 등 2. 그림 3.1에서 그림 3.5까지의 회로 중에서 (a) npn, (b) pnp 형 트랜지스터의 forward bias
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