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반파위상제어 정류회로
□ 동작 원리
⇒
▽ : ()으로 L을 통한 출력전류 계속 증가, 인덕터 에너지 증가
▽ : 으로 극성이 바뀜
▽ : ()으로 L을 통한 출력전류는 양의 값을 유지하면서 감소,
인덕터 에너지 감소, 방출
▽ : = 0, 다이오드에 역전압
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회로로 생각할 수 있습니다. 윗쪽 트랜지스터는 PNP트랜지스터의 역할을 하고 아랫쪽의 트랜지스터는 NPN트랜지스터의 역할을 합니다. 단, 두개의 트랜지스터가 맞붙는 중간층은 서로 공유됩니다.
1) SCR의 턴 온(Turn-on)과정
(1) 아래의 그림과
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회로(snubber circuit)로 해결한다.
SCR전류를 지시한 방법으로 증가한다면 과 값도 증가한다. 이 과정을 계속하면 과 값의 합은 1 로 되며, 식 (7)의 분모는 0 으로 된다. 그리하여 는 증가하며, 소자는 무한 값의 애노드 전류가 흐르는 턴-온상태가
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Report
과 목 : 재료전자물성
담당교수 :
소 속 :
학 번 :
성 명 :
제 출 일 :
목 차
주 제 : 반도체
1. 반도체의 정의 3
2. 반도체의 원리 3
3. 반도체의 종류
①불순물양에 따라 5
②다이오드 6
③트랜지스터 10
④I.C(Integrated Circuit : 집적회로) 12
4.
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음향신호 데이터 수집
(3) 외관 및 파괴적인 방법에 의한 품질평가
다. 음향신호처리
라. 인공신경망에 의한 내부품질 예측 알고리즘
3. 결과 및 고찰
가. 수박의 물성
나. 수박의 음향 스펙트럼
다. 인공 신경망 학습 및 검증
4. 결 론
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회로, 반도체 물성과소자 등을 수강하며 반도체에 대해 간접적으로 배울수 있었습니다. 배운 이론적 지식과 실무를 좀 더 쉽게 배우기 위해 자세히 공부하였습니다. 노광, 식각, 클리닝 & CMP, 박막, 확산 등 반도체 공정에 단계별로 업무에 사
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회로를 확인한 결과, 시리얼 통신 IC소자 핀끼리 납이 붙어 있음을 확인하였고 납땜으로 수정하여 문제를 해결하였습니다.
두 번째로, CE직무에 관련된 필요한 지식과 자기계발에도 노력하고 있습니다.
학사 시절 집적회로, 반도체 물성과소
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물성 그리고 소모 전력을 최소화하는 방법을 학습하였습니다. 그중에서도 반도체 웨이퍼 상부에 쌓여지는 layer의 물성에 따른 반도체의 특성 변화에 흥미를 갖고 공부하였습니다. ZnO 물질의 단점을 보완하기 위한 IGZO의 등장과 같은 layer의 물
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물성 변화와 그에 따른 전기적 특성 차이를 실험을 통해 관찰하였습니다. 이를 통해 공정의 정밀 제어가 소자 특성에 미치는 영향을 체감하였고, 계측 공정의 정확도가 불량률에 직결된다는 사실도 실감하게 되었습니다.
또한 삼성전자의 TFT
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물성의 평가를 위해, 인장 시험기를 이용한 한계 Von mises 응력 평가 실험을 설계한 경험이 있습니다. 이렇게 설계된 lab scale 실험을 바탕으로 Abaqus 모델링을 단순화시켜 실제 크기의 공구를 모델링할 때보다 변수 제어를 훨씬 용이하게 하여 짧
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