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미립자 운동양식의 관측.
V. CF4/H2 플라즈마를 이용한 RIE(Reactive Ion Etching) 공정에서의 미립자 발생에 미치는 공정 변수의 영향과 RF on-off 변조(modulation)의 영향.
VI. 직류 평판 Diode형 Al 스퍼터링 공정에서의 미립자 거동과 Ring 전극 첨가가
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미립자 제조 및 응용기술\"
21세기 과학과 반도체 나노 화학, 천 진 우 / 한국과학기술원 화학과
http://bk21-chem-eng.snu.ac.kr/team/8.html
http://ticnp.kyungwon.ac.kr/bbs/zboard.php
http://www.nanotechweb.org/articles/news/4/8/6/1#050803
Othmar Preining, J. Aerosol Sci. Vol. 29, No 5
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미립자의 거동이나 소립자의 생성,소멸 등 미시적 세계의 여러 현상의 발견으로 특수상대성 이론의 정당성이 검증되었다. 또 일반상대성 이론도 천문학상의 여러 사실에서 그 정당성이 밝혀졌다. 이러한 점에서 상대성이론은 물리 현상을 기
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거동(정수 처리 공정에서의 거동)
2. 비소 (III,V)
(1) 비소(III,V)란
(2) 주요용도 및 발생원
(3) 독성
(4) 환경에서의 거동(정수 처리 공정에서의 거동)
3. 셀레늄
(1) 셀레늄이란
(2) 주요용도 및 발생원
(3) 독성
(4) 환경에서의 거동
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거동측면에서 중요하게 작용한다.
3)비표면적
정의 : 단위질량(단위체적) 중에 포함되는 토립자의 총 표면적. -1g의 토립자의 총 표면적(1㎡/g).
특성 a. 토립자의 크기가 감소함에 따라 급격히 증가한다.
b. 비표면적이 클수록 입자의 표면현상이
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