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저항 : 20Ω, 5Ω(또는 4.7Ω) 각 1개
- 커패시터 : 10㎌
- 인덕터 : 2.2mH 1개
4. 실험 방법
미지의 인덕턴스 를 포함하여 [그림 6]의 회로를 구성한 후, 함수발생기의 주파수와 가변저항 , 를 변화시키면서 브리지 평형조건을 만족시키는 , 값을 측정
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실험실에서 매일 전기적 양을 측정하는 데 측정 기준으로 사용되는
표준기이다. 예로, 표준 저항기를 사용하는 휘트스톤 브리지로 미지 저항을 정확히 측정할 수 있다. 이
와 같이, 보통 실험실에서 볼 수 있는 표준 저항기, 표준 커패시터,
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미지 전류 I을 구하라.
옴의 법칙에 의해 V= IR에서 16V = I × 8 = A,
∴ I = 2mA
확인문제 3. 다음 회로의 미지 저항 R을 구하라.
V = IR에서 ,
∴ R = =
확인문제 4. 다음 회로의 미지 전압 V를 정하라.
V = IR 에서 = ∴ V = 30V [예비 Report] -2 pages
1. 실험
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실험은 평형브리지 회로에 대해 알아보는 시간이었다. 상세히 들어가 평형브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 구하고 그 관계를 이용하여 미지의 저항을 측정하는 것이다.
이 실험에서의 평형브리지 회로를 설명하자면 R1 과 R2 는 동일 값
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실험방법
1 - DC 6V 의 건전지의 전압을 읽는다.
2 - AC 100V 의 전원 전압을 읽는다.
3 - 미지의 저항을 읽는다.
4 - 다음과 같이 회로를 꾸민다.
6V
R
이 회로에서 Tester기를 이용해서 측정할수 있는 DC 전원 , 저항, 전류를 측정한다. 이때 DC전류 측정
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실험은 휘스톤 브릿지를 이용하여 미지의 저항을 구하는 것이었다.
이 실험에서 오차를 구해보니 0.15 % ~ 4.07 %만큼의 오차가 발생했다.
오차가 발생한 이유를 생각해 보면
첫 째, 게이지가 전자식이 아니였기 때문에 사람의 눈으로 확인을 해
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저항을 측정할 수 있다. 저항이 50kΩ일 때 측정하면 브리지는 R1과 R2의 현재 값으로 평형이 될 수 없다.브리지가 평형을 이루려면 arms의 설정을 바꾸어야 한다.
5.참고문헌
*신회로이론 박송배 문전당
*기초회로 실측에 기초한 전자전기 실험
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저항의 관계에 대해서 살펴보았다. 실험 과정은 처음에 조교님의 설명을 들어서 쉬운 실험 같이 느꼈지만 직접 해보니 실험 중간에 모르는 부분이 많고 실험 중 측정값이 잘 나타나지 않아 조교님의 설명과 도움이 많이 필요했던 실험이었다.
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전선의 저항 및 접촉 저항을 검사해 본다. 1. 실험 목적
2. 이 론
(1) 휘트스톤 브릿지란?
(2) 휘트스톤 브릿지의 기본 원리
(3) 슬라이드 - 와이어(Slide-Wire)형 휘트스톤 브릿지의 원리
3. 실험 기구 및 장치
4. 실험 방법
5. 주의사항
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실험의 목적을 보면 힌지 아치의 수평 반력과 하중크기, 위치에 따른 수평 반력을 측정하여 실험값을 측정하고 아치의 수평 반력에 대한 영향선을 통하여 이론값을 산출하여 아치의 거동에 대하여 이해하는 것이다. 실험 순서로는 우선 100g, 2
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