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공정을 피할 수 있는 dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금
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공정에서는 매우 중요한 단위공정이다.
그 이유는 화학증착이 높은 반응온도와 복잡한 반응경로 그리고 대부분의 사용기체가 매우 위험한 물질이라는 단점에도 불구하고 고유한 장점들을 가지고 있기 때문이다. 화학증착법의 장점으로
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반도체공정개론, 교보문고, 2004년, 163-175
2. 이형직외 2명, 박막프로세스의 기초, 반도출판사, 1997년, 60-98, 137-142
3. 이홍로, 표면공학, 형설출판사, 1999년, 328-376
4. http://www.iljinnanotech.co.kr/kr/material
5. http://mst.ajou.ac.kr/PROF/LeeSoonil/lab_1.html
6. http://www
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편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html 실험제목
실험목적
실험내용
실험절차
실험이론
참고자료
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반도체공정의 이해를 도모하고 그러한 반도체관련 공정기술 및 장비기술의 개발동향을 알아보고 이와 관련한 특허출원을 분석하고 향후 기술발전동향을 살펴보기로 한다.
Ⅱ.이론적 배경
1.1 정의
Hall Effect의 발견은 1879년 에드윈 홀(Edwin H. H
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