|
설계 목적
1. 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
2. 주입량 변화에 따라,Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.
설계 조건
기판 고정값
Environment Title nMOSFET
substrate dopant
|
- 페이지 20페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2011.07.05
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
반도체 3
1.3 반도체 물리의 기초 3
1.4 반도체의 띠구조 3
1.5 반도체 도핑(불순물 첨가) 4
1.6 고유 반도체와 비고유 반도체 4
1.7 N형 도핑 4
1.8 P형 도핑 5
1.9 운반자 농도 5
1.10 P-N 접합 5
1.11 반도체 재료의 순도와 물결성 6
1.12 로렌츠 힘 (Lore
|
- 페이지 15페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2008.12.06
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
반도체의 전기적 특성에 미치는 열처리 효과, 김용운 세경대학 전기전자계열
유기반도체에 대한 연구 논문, 박진호, 영남대학교 응용화학공학부
CuInSe 박막 반도체의 광학적 특성, 이수일, 조선대학교 물리학과
외발자전거는 넘어지지 않는다
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2005.10.03
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
공학회
장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FE
|
- 페이지 5페이지
- 가격 5,000원
- 등록일 2013.07.23
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php 1. MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3. C-V curve
|
- 페이지 6페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2007.02.20
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|