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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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반도체 접합부에 전하를 띈 이온들이 쌓이는 영역이 생기는데 이를 결핍
층이라고 한다.
4. 전위장벽, 바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어
스라고 한다.
5. 순방향 바이어스
p형 반도체
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반도체, 다이오드와 특성원리 등을 알게 되었고 잊어버렸던 테스터기를 쓰는 방법도 다시 알게 되었습니다. 목차
1. 목 적
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류
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반도체를 접합하면 접합한 부분에는 정공과 전자가 결합을 하고 이온화된 전장이 형성되어 더 결합이 이루어지지 않는 공간 전하 영역 또는 공핍 층이 생기는데 p형과 n형의 바이어스가 순방향일 때 공핍 층이 없어지고 전류가 흐르게 된다는
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실험 1 .반도체 다이오드의특성
목적
1) 반도체 다이오드의 동작 특성을 이 실험 1 .반도체 다이오드의특성
1. 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 재료
실험 방법
고찰 및 평가
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바이어스(V < φ0) 28
2. 큰 바이어스(V > φ0) 29
제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증
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