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산화인듐주석 박막 및 그 제조방법
- MOD법에 의한 ITO 투명전도성 박막의 제조
- 화학기상증착법에 의한 ＩＴＯ박막 제조방법
- 원자층 증착법에 의한 ITO 박막 제조방법 및 인듐 박막 제조방법
- 표면 개질된 인듐 주석 산화물층 및
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박막의 보호되지 않은 부분을 용해하기 위해서 쓰인다. 마지막으로 작업을 마친 포토레지스트는 벗겨진다. 이것은 asher라고 부르는 산소 플라스마체계에서의 레지스트를 산화시키는 것에 의하여 레지스트를 부풀리거나 들어올리는 화학적작
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산화박막에 많은 영향을 주는 것을 알 수 있었고 또한 진공도에서 주입량이 5sccm 이하에서 제작된 박막의 투과율이 현저히 떨어졌고, 5sccm 이상에서 제작된 박막의 투과율을 좋았다. 그러나 5sccm이상의 경우에 박막의 저항이 증가하여 5sccm으로
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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What is the Transparent electrode?
Good conductor = Good reflector
R = 1-2(4πεע/σ) ( Hagen-Rubens law )
Good conductor ≠ Good reflector
ITO , AZO, Graphene , etc….
Principle of conduction
Defect make a conduction
Positive Ion Vacancy
P - type
Negative Ion
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박막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다.
4) 국내에서의 태양전지 사업은 웨이퍼 생산을 포함한 대규모의 반도체 생산설비와 전
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산화를 방지할 수 있는 진공도를 유지하는 것이다. 또한 대면적에서 봉지 기술도 관건이 되고 있다. 따라서 CNT-BLU는 가능성은 있지만 여전히 형광체를 사용하고 있다는 점 등에서 타 기술에 비해 큰 강점은 없는 상황으로 기술 개선의 추세를
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산화를 방지할 수 있는 진공도를 유지하는 것이다. 또한 대면적에서 봉지 기술도 관건이 되고 있다. 따라서 CNT-BLU는 가능성은 있지만 여전히 형광체를 사용하고 있다는 점 등에서 타 기술에 비해 큰 강점은 없는 상황으로 기술 개선의 추세를
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산화박막 / 00 공정에대해 아는 것을 모두 말해봐라” 였고 반도체 공정 CVD,ALD 두가지 차이점과 트레이트오프관계 그리고 어떤 것이 반도체장비사이 좀더 중점적으로 발전시켜나가고 있는가에 대해 말씀드렸더니 더 이상 전공에 관한 질문은
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박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이
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산화, 산소 환경 조성 등 실질적 공정 요소를 논문 기반으로 구현하며 공정 흐름을 체득했습니다.
“실전 프로젝트에서의 공정 적용”
종합설계 프로젝트에서는 다공성 막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 기술을 응용했습니다.
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