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메모리와 전기메모리 기반기술 - 상변화(phase change) 기술
(1) 기본이론
(2) 상변화디스크 시스템 및 디스크 구조
(3) 각 층의 역할
(가) 유전체 보호층
(나) 기록막
(다) 반사층
(라) 보호코팅층
(마) 기판
(4) 상변화 물질의 발전 역
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테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop 2003
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메모리 셀의 착안 등이 실현될 때 가능할 것으로 기대된다.
III. 결 론
지금까지 설명한 것과 같이 MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다.
FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소
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■ Abstract ..............................................page. 1
■ Introduction ..................................page. 1
■ Phase Change Memory ............................page. 1
1. About the Phase Change Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Chang
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Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRAM 커패시터로서 요구
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