|
함수의 조작과 NAND 게이트 구현
실습 날짜 : 9월 13일
목적 : 대수식의 최소화 외에도 주어진 식을 다른 어떤 형태로 나타낼 필요가 있을 때,
그리고 주어진 설계상의 제약을 만족시키기 위한 대수식의 조작을 익힌다.
회로도
_고찰
위 회로는
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,300원
- 등록일 2002.12.17
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
부하의 연결 상태
◈3상 인버터의 스위칭 상태표
◈이상 적인 특성
◈3상 인버터의 스위칭함수
◈3상 인버터의 회로 구성
◈출력의 상전압
◈출력의 선간 전압
◈6스텝 인버터
◈6 스텝 제어
◈PWM 3상 인버터
◈3상 전류원 인버터
|
- 페이지 10페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2012.03.07
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
함수 F로 실현된다면, 입출력 변수가 부 논리로 결정될 때에는 함수 F의 쌍대(FD)를 실현할 수가 있다. 실험 목적
① 논리게이트란 무엇인가?
② 부울 함수란 무엇인가?
▲부울 대수?
▲부울 식과 진리표
③ 기본 논리게이트 6개
▲
|
- 페이지 19페이지
- 가격 1,500원
- 등록일 2008.12.13
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
. 여러 상품화 되어 나오는 센서들의 출력은 사용자가 몇 볼트에서 사용할지 잘 알 수 없으므로 오픈 컬렉터로 만들기도 한다.
TTL NAND/NOR 게이트
( 예 비 ) (1) 카르노맵을 이용한 함수의 간소화
1. 실험목적
2. 실험 방법, 이론 및 예측
|
- 페이지 8페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.03.24
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
함수에 비례하는데 FET의 경우 입력전압의 제곱에 비례하므로 증폭면에서 BJT가 더유리하다.
MOSFET의 구조, 표시기호 및 동작원리
<그림4. MOSFET의 구조 및 표시기호>
Gate에 양의 전압을 걸어주게 되면 Gate아래 전자가 올라오게 된다. 채널이
|
- 페이지 14페이지
- 가격 1,800원
- 등록일 2022.04.01
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|