|
습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.1. SiC상의 무전해 Ni-P 도금 시 에칭의 영향
2.2 에칭 폐액의 산 분리 기술
3. 기술개발 추이
3.1 기술 개발 현황
3.2 에칭 장비
3.3 에칭 공정
3.4 모델링 및 전산모
|
|
|
에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을 보기 쉽게 정리
3. wet etching
wet etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 용액과 장단점 그리고 장비들을 보기 쉽
|
|
|
급이 되고, 표면에서 화학반응이 일어난 후, 반응이 끝난 생성물질이 떨어져 나오는 순서로 진행된다.
습식 에칭이 반도체 공정에서 광범위하게 사용되고 있으나, 습식 에칭은 등방성(isotropic) 에칭이기 때문에, 수평과 수직이 같은 비율로 에
|
|
|
이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘
|
|
|
에칭가공 : 에칭은 원하는 부분만 선택적으로 깎는 것으로 수용액 속에서 진행하는 습식 에칭과 플라즈마 안에서 진행하는 건식에칭이 있다. 미세한 패턴을 구현하기 위해서는 마스크의 형상을 그대로 살릴 수 있는 건식에칭이 필수적이다.
|
|
메뉴펼치기
