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이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching) 습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘
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10분가량 진행한다.
Cf. Dry Etching(RIE)이후에 Cleaning하는 방법
a. SPM(황산:과산화수소=1:1) 10min
b. APM(암모니아:과산화수소:Di Water=1:1:5) 15min
c. HPM(염산:과산화수소:Di Water=1:1:5) 10min
d. BOE: SiO2만 제거, Si는 제거 불가능
(5) Di Water로 헹굼
SPM과정
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etching system.
3. Appartus & Reagents
1) Appratus : Spin coater, UV exposure, Tester coil, Heat palter, Glass
2) Reagents : DEVELOPER-AZ400K, PDMS(Polydimethylsiloxane), PR-AZ1512
4. Procedure
1) Cleaning Process
First, you immerse the glass in DeIonized Water(minimum 10minute). And then, you clean
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Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포토리소그래피
11. 식각
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화학반응 공정 - 산화(oxidation) 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 화학기상증착(CVD) 공정
CVD 반응장치
에피택시(Epitaxy) 공정
* 액상 에피택시(LPE)
* 기상 에피택시(VPE)
식각(Ecthing) 공정
*건식 식각(dry etching)
웨이퍼 세정(wafer cleaning)
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실험 결과 및 고찰
Ⅲ. 실리콘 주형의 제작과 분광기의 제작
1. 반응성 이온 식각 공정(RIE;Reactiva Ion Etching Process)
2. UV 몰딩(UV-molding) 공정을 이용한 분광기의 제작
3. 분광기(Spectroscopic component)의 특성 고찰
Ⅳ. 결 론
Ⅴ. 참고 문헌
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Q4 지원한 직무 관련 본인이 갖고 있는 전문지식/경험(심화전공, 프로젝트, 논문, 공모전 등)을 작성하고, 이를 바탕으로 본인이 지원 직무에 적합한 사유를 구체적으로 서술해 주시기 바랍니다. 1000자 (영문작
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