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교체해서 실험을 해보지 못하였는데 breadboard의 영향이 아닐까 하고 잠정적 결론을 내릴 수밖에 없었다. 결과
1. 디지털 시스템트랜지스터를 이용한 NOT 게이트 회로
2. npn, pnp 트랜지스터를 이용한 NOT 게이트 회로
3. Fan-Out
Discussion
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까지 실험했던 트랜지스터 중 가장 증폭률의 변화가 약한 편이다.
- 트랜지스터가 전류를 증폭시킬 때에는 증폭시키는데 필요한 만큼의 전원을 더 공급해 주어야 함을 알 수 있다. 이 트랜지스터의 경우 실험한 다른 트랜지스터에 비해 증폭
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실험을 반복한다.
* 사용상 주의 사항
① 트랜지스터의 베이스 영역은 전체 두께의 정도로 좁아야 하고 (에미터의 다수 케 리어의 농도)(컬렉터의 다수 케리어의 농도)여야 하며 컬렉터와 베이스간에 역전압 을 가할 경우 제너 전압은 적어도
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실험 결과 및 고찰
트랜지스터에 대해 이해하고 증폭작용과 스위칭 작용에 대해 알아보는 실험이었다.
Function Generator를 사용하는 과정에서 Function Generator의 사용 방법을 확실하게 숙지하지 못하여 실험 진행에 차질이 있었다. Function Generator
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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가하는 것을 알 수 있었다.
그림 4 Curve
VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 두께는 -stepper로 미리 예상치를 실험해 130nm값을 측정하였다.
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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transistor
2EA
A733 1개, 2SC1815 1개
건전지
1EA
3V
표 3. 적외선 수신기 부품 목록
품 목
수 량
비 고
IC
2EA
TC9150 1개, 7805 1개
capacitor 및 콘덴서
5EA
102 3개, 103 1개, 1개
저항
5EA
1개, 2개,
1개, 1개
transistor
2EA
A733 1개, 2SC1815 1개
수광기
1EA
적외선 수신 모듈
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트랜지스터에 대해 설명해보라. 1. 본인에 대해서 자세하게 소개해 주십시오.(성장과정/성격/강약점)
2. 본인이 우리회사와 지원한 직무에 적합하다고 생각하는 이유를 구체적으로 기술해 주십시오.(성향/전문지식/역량)
3. 본인이 스
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