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전압 과 동일한 극성으로 에 나타난다.
2.3 실험기기 및 부품
멀티탭 (110V) 1개, 중간 탭이 달린 변압기 1개, 전원트랜스 110V(1차측), 6V, 12V(2차측) 1개, 오실로스코프 1대, 저항 (10㏀, 1/4W) 1개, 저항 (1㏀, 1/4W) 1개, 다이오드(1N914) 2개, 다이오드 (1N5625)
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1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5. 디자인 프로젝트
6. 검토 및 보고 사항
7. 토의
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전압 출력 (ex. LM7809 : 9V 조절기 칩)
IC 조절기 = 내부 전류 제어부 + 안전부 => 성능이 뛰어나다.
IC = (입력+접지+출력) 단자 구성 {입력 : 입력연결, 접지 : 공통노드연결, 출력 : 저항연결}
3. 실험기기 및 부품
(1) 다이오드 1N4001 (또는 1N5625), 1N47
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다이오드는 기준전압에서 항복현상을 일의지만 일반용 다이오드는 그 항복영역이 상당히 높고 넓어서 특성곡선을 나타낸다.
그러나 역방향 바이어스 전압을 가했을 경우 제너 다이오드 양단전압은 기준전압 10v가 되며 양단 전압은 10v이지만
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다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라.
VT(Si) =
고찰
Si와 Ge다이오드의 특성을 확인하기 위하여 실시한 실험 이였지만 실제 실험 소자의 값은 실리콘 소자와 비슷하지 않았던 것 같다. Ge 다이오드는 범용적으로
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11&dir_id=110209&docid=742742&qb=7ZqM66GcIOuCtOyXkCDsoIDtla3snYQg7Jew6rKw7ZWY6riwIOyghOyXkCDsoIDtla3snZgg7IaM67mE7KCE66Cl7J2EIOqzhOyCsO2VmOuKlCDqsoPsnbQg7ZWE7JqU7ZWcIOydtOycoOuKlCDrrLTsl4fsnbjqsIA/&enc=utf8&pid=fVBapv331xlsss7wMUNssv--050893&sid=SsjFpHK4yEoAACFCGT0 1. 가변 저항기의 특성 실험
2
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다이오드를 ON 혹은 OFF 스위치로 표현하라.
2) 실험 4)의 다이오드의 선형화 모델표에는 필요한 와 가 주어져 있다. 지금 그 다이오드에 대한 전압 3V와 저항 300이 직렬로 연결된다. 표의 수치를 사용해서 1N914와 1N4004를 흐르는 전류를 계산하라
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1V 간격으로 변화시켜 회로의 인가되는 전체전류를 측정하였다. 커서기능을 이용하여 그래프와 아래의 데이터 테이블을 확인해 보면 전압이 2.0355V일 때, 전류가 1mA인 것을 확인할 수 있다.
<중 략>
(2) 실험 도구 및 장비
- 전원공급
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전압과 다이오드에 흐르는 전류사이에 정비례에 가까운 모습을 보인다. 실제 Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 더 많은 전류를 통과시킨다.
▲ 오프셋 전압은 Ge 다이오드가 0.3V 정도이고 Si 다이오드가 0.6V 정도이다. 실험에는 1V부터 주어졌기
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다이오드가 스위치 ON 상태인 경우 출력전압은 가 된다. 즉, 입력전압(vi)에서 다이오드 장벽전압 만큼 전압강하가 발생하여 출력전압으로 나타난다. 실험단계 의 실험결과를 이용하여 실험에 사용한 다이오드의 장벽전압(VTh)을 구하여라.
10)
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