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7. 보상 저항 510Ω을 100Ω 저항으로 대치하고 실험 6을 반복하여 출력 파형의 변화를 관측하라.
출력 파형을 그려라.
8. 보상 저항이 100Ω인 경우에 미분기 출력의 계단 응답에서 발생하는 진동 주파수와 근사적인
안정 시간을 측정하라.
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및 데이터 전송 기능을 활용하여 실험 데이터를 보다 효율적으로 관리할 수 있다. 각 장비의 매뉴얼을 참조하여 숙련도를 높이는 것이 바람직하다. 마지막으로, 장비를 사용할 때는 항상 안전을 최우선으로 고려해야 하며, 고전압 실험 시 안
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전압은 대략 4.4mV임을 알 수 있으며 전류는 9.5uA 입니다.
<그림 4. 1> 스코프 측정 화면
<그림 4. 2> 회로도
<그림 4. 3> spice 결과 1. 전원회로 구성
1.1 참고사항
1.2 사용부품 및 기구
2. 트랜스 및 브릿지 다이오드만 부착된 경
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파형을 관찰하고 그려본다.
출력신호 Vo의 직류전압
{V}_{DC}
를 디지털 멀티메터로 측정하여 기록한다.
또한 Vripple값을 실험B방으로 측정하여 기록한다.
RL의 값을 바꾸어 가면서 각각의 경우의ㅏ 출력의 직류 전압 VDC값과 Vripple값을 각각 측정
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연속적으로 되기 위한 조건에서 수식을 정리해 보면
즉, 가 된다.
(4) 실험과정 (6)의 이론치를 계산하라.
의 식을 이용하여
①D=0.2일 때 ②D=0.4일 때
③D=0.6일 때 1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용부품 및 장비
4. 실험 내용
5. 예비보고서
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실험 안내서에는 적색스펙트럼이 가장 명확하다고 확인되어있지만 실제 실험을 해보니 푸른색과 녹색 선이 가장 명확하게 관측되고 있었다. Ⅰ. 실험제목
Ⅱ. 실험 날짜
Ⅲ. 기본 이론
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ실험 데이터 및 사진
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실험이었다.
실험 F. 전장 및 자장 속에서의 전자의 운동 : 전자의 비전하 측정
1) 앞의 실험에서 외부에서 전압을 인가해주면, 수직편향판의 위쪽에는 (+) 전압이 아래쪽에는 (-) 전압이 인가되어 전자는 위쪽으로 힘을 받아 휘는 것을 관측하
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log-log 그래프에 그리고, 이론적인 결과와 비교해 보시오.
log-log 그래프
전력이 50%가되는 지점(-3dB)=0.707되는 부분=88kHz
※ 별첨 : HA17741 data sheet 1. 실험목표
2. 사용 기자재
3. 기본이론
4. Pspice 시뮬레이션 결과
5. 실험 방법 및 결과
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전압 특성곡선을 그리시오.
4) Si 다이오우드 대신 Ge 다이오우드를 사용하여 실험을 반복하시오.
그림 7. 역방향 특성곡선 측정회로
실 험 결 과 보 고 서
보고자: 학과 및 학년
학 번
이 름
보 고 일 자 :
실험제목 : 반도체 다이오우드의 특성
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실험 B] 전압에 따른 열에너지 증가는 실제 값보다 큰 방사능 측정값을 나오게 한다. 이것은 우리가 측정하는 방사능은 열적 평형상태에 이루었을 때 측정 하는데, 이것은 전압에 따른 Cube 열과 빛의 열에너지의 합이 방출하는 양과 흡수하는
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