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증착되는 증착율은 source의 기하학적인 요소, source와 기판과의 상대적인 위치, 응축 계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박막실험시 세심한 주의와 관찰을 필요로 한다.
[그림8] Thermal evaporator
반도체 공정개론 / 교보문고 / 이살
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Thermal Evaporation으로 증착되는 발광재료에 대해 조사한다.
* 장비 ON 순서
1. Air, Water, Vent V/V Off 확인
2. Power ON
3. R/P ON, Gause ON
4. F/V ON, 30초에서 1분이 지나면 D/P ON(25~30분 유지)
5. F/V OFF, ( T/C2 진공도 5*10-2이하)
6. Chamber를 Open 하여 Al 장착 및 Ma
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발광면을 제외한 전극부분의 고분자들을 지워준다.
3)EIL 및 전극 증착
①EIL과 전극물질을 증착하기 위하여의 열증착기(Thermal evaporator)의 고진공 챔버(1×10-6 torr 이하)로 이송하며, BaF2(0.1Å/s, 2nm)/Ba(0.2Å/s, 1nm)/Al(5Å/s, 200nm)순으로 전극을 증착
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(mm)
면적(mm2)
1
2
3
4
5
평 균
나. Shadow mask dimension = 1.0×1.0(mm)
가로(mm)
세로(mm)
면적(mm2)
1
2
3
4
5
평 균
(3) 광학 현미경을 통한 비교.
(4) Al의 신뢰도에 영향을 미치는 3가지 중요한 원인에 대하여 조사해 보자.
(Junction spiking, Electromigration, Hillock)
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열증발 증착법
도선에 흐르는 전기의 순수 저항을 이용하여 가열하는 방법으로 텅스텐, 티타늄 등을 이용하거나 접점저항을 이용하여 가열함.
①증발 과정시 증발체는 보통 높은 진공 상태에서 열 이 가해짐(P<10Torr)
②압력이 낮기 때문에
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