|
= recombination
► 진성 반도체 (intrinsic semiconductor)
불순물이나 결함이 없는 순수한 반도체 결정 1. 순수 반도체 -진성반도체
(intrinsic semiconductor)
2. 불순물 반도체-외인성 반도체
(extrinsic semiconductor)
1) P형 반도체
2) N형 반도체
|
|
|
따라 점진적으로 낮은 이동도 값으로 이동하는 것을 볼 수 있다. 1.실험제목
2.실험목적
3.이론
(1)금속의 전기전도도
-온도의 영향
-불순물의 영형
-전기전도도의 결함 성분
(2)반도체의 전기전도도
-진성반도체
-외인성반도체
|
|
|
전자와 정공분포
2. 진성 캐리어 농도
3. 도펀드 원자와 에너지 준위
4. 이온화 에너지
5. 외인성 반도체
6. 축퇴와 비축퇴 반도체
7. donor와 acceptor의 통계
8. 보상(compensated) 반도체
9. Fermi 에너지 준위의 위치
10. Fermi 에너지의 관련성
|
|
|
따라 감소.
온도계수가 마이너스(-)이면 반도체.
극히 소량의 불순물을 첨가하면 저항률이 크게 변화하여 도전률이 증가. 개 요
에너지 간격 통과하기
진성 반도체
외인성 반도체
재결합과 수명
III-V족 반도체와 II-VI족 반도체
|
|
|
반도체의 전기전도도는 (이론상으로)온도가 증가할수록 감소한다.
그러나 실험상 증가하는 방향으로 나왔다.
*실험 결과 오차의 원인
①진성 반도체에서는 온도가 증가할수록 전기전도도가 증가한다. 하지만 외인성 반도체는 온도변화에 민
|
|
 |
반도체와 외인성 반도체, p-n 정류접합과 트랜지스터를 배우면서 반도체의 기본 개념과 원리에 대해 공부하며 신소재공학의 기초를 다졌으며, 선택 과목으로 재료전자 물성론, 재료 열역학 등을 수강하며 지식의 폭을 넓힐 수 있었습니다. 반
|
|
메뉴펼치기
