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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
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[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저
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파형을 관찰하는 과정이 있었는데, 주파수를 아무리 증가시켜도 사인파의 주기만 변할 뿐, 전압 이득은 아무런 변화가 없었다. 12k저항의 부재 때문인지 이득에 변화가 없는 것이 맞는 건지 실험을 통해 확인해야 겠다.
4. 결과 및 토의
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트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응
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무조건 책에 있는 이론값을 믿기 보다는 실험 결과가 이론 값과 다르면 왜 다른지를 철저히 생각하고 분석하여 그 원인을 찾아 냄으로써 실험을 좀더 잘 할 수 있게 된 것 같습니다. 14장 NMOS 증폭기
pspice 파형, 오실로스코프 파형 및 고찰
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