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측정값(오차율[%])
D1
최대
2.56V(5.2)
2.63V(2.6)
최소
-590mV(1.7)
-620mV(3.3)
D2
최대
2V(0)
1.96V(2)
최소
0V(0)
0V(0)
⇒ 이번 시뮬레이션은 정밀반파정류기를 이용한 회로였다. D1 다이오드는 약 0.6V의 전압 강하가 발생하였다는 것을 알 수 있고, 저항을 2kΩ 으
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generator
저항:390Ω 1개, 470Ω 1개,1kΩ 2개, 1.8kΩ 2개, 10kΩ 3개, 33kΩ 1개
가변저항 : 200Ω
Z.D : 5V
콘덴서 50㎌ 2개
TR : 2SC 1815 4개, Q2N2222 4개
4. 시뮬레이션
1) V1=V2
2) V1 = 1V, V2 = 0.5V
3) V1 = 0.5V, V2 = 1V 1. 목적
2. 이론
3. 실험기기
4. 시뮬레이션
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저항으로 구해도 RD값에 가깝기 때문애 무시할 수 있다. 이렇게 해서 내부 저항을 생략하게 되면 전압증폭도 KV에서 1/γ가 없어지기 때문에 KV= -gmRd 가 될수 있다.
3. P-SPICE 시뮬레이션 (시뮬레이션한 .cir 파일 같이 제출)
6(a) 회로 - ID와 VP 측정
F
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저항과 아날로그 테스터기의 저항에 의해 센서에서 나오는 전압이 배분되어 실제 나오는 전압보다 낮은 전압이 나오게 된다. 이런 점을 보완하기 위해서 전압 팔로우를 사용하죠.
즉, Voltage Follower는 입력된 전압을 전압강하 없이 출력전압으
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측정과정에서 그 요인이 많았던 것 같다. RL 회로 실험은 측정시간이 매우 짧아서 t과 t0를 측정할 때 어려움이 많았다. 아직 프로그램이 익숙하지 않아서 스마트커서를 이용할 때 선과 만나는 좌표값을 눈으로 읽고 대충 짐작하여 기록한 것이
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측정 장비로 사용한다. 구체적 사용 예로는 차량 점화 장치나 분석이나 심전도 파형 디스플레이 등이 있다.
② RC 회로
키르히호프의 정리에 의해 전원장치의 기전력 V, 저항에서의 전압강하 VR , 축전기에서의 전압강하 VC 사이에는 다음
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측정 > 무선/RF 측정기 > 스펙트럼분석기]
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=2164
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M.
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전압에 약하다.
③ 게이트 신호를 인가할 때부터 도통할 때까지의 시간이 짧다.
④ 전류가 흐로 있을 때 양극의 전압강하가 작다.
⑤ 정류기능을 갖는 단일방향성 3단자 소자이다.
⑥브레이크오버 jsdkq이 되면 애노우드 전류가 갑자기 커진다
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전압강하가 나타나는 것으로 보아 트랜지스터가 포화상태임을 알 수 있었다.
다음 실험인 <그림 35-8>의 회로에서는 위의 실험과는 반대로 의 값이 12.119V로 입력 전압의 크기와 거의 같고, 의 값이 0.008V로 저항 양단에서 전압강하가 발생되
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저항에 의하여 전압강하가 이루어 졌으므로 그래프가 다소 완만한 형태로 나타났다. 역방향에서는 측정시에는 전류를 거의 무시할 정도로 작은 값이어서 0으로 보았다. 그래서 여기서는 저항이 무한대라고 볼 수 있다. 이것을 PSPICE로 보았더
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