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저항의 직렬 회로
-이상적인 다이오드를 생각 할 경우
순방향 전압:D의 저항값 0
I_D
= E / R = 9 / 180 = 0.05 [A]
V_D
= 0 [V]
V_R
= E = 9 [V]
-실제의 특성을 고려할 경우
E는 키로히호프의 제 2법칙에 의해
E =
V_D
+
V_R
=
V_D
+
R_ID
I_D
= -
V_D
/ R + E / R = -
V_D
/
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전압법칙 둘다 기본개념부터 차근차근 들어간다면 어렵지 않은 그런 내용이었다.
두개의 입력전압을 해석함에 있어 중요한 것은 방향이다.서로 다른방향으로 흐르기 때문에 상호 간섭이 생긴다는 생각이 들기도 하였다. 측정을 하면서 커런
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전압의 값은 약 0.632의 값이 된다 이 것은 위 식에 t = RC로 해서 대입하면 알 수 있다 추가로 설명하자면 저항에 걸리는 전압의 값은 위 그래프와 반전그래프이다 왜냐하면 키로히호프법칙에 의해서 FG의 전압을 , 저항에 걸리는 전압을 , 캐패
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전압의 차이가 있어서 계산을 하기가 쉽지 않았다. 정확한 실험이 되는 기판에서 실험을 해보고 싶다는 생각이 들었다. 그러나 실험 자체는 전압과 전류 사이의 관계에 대하여 더 깊게 생각해볼 수 있게 해 주어 뜻 깊었다.
키로히호프의 법칙
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전압을 더해보니 실제적으로 가해준 전압과 거의 같게 나왔다는 사실을 알 수 있다. 실험을 통하여 오차가 상당히 적게나온 결과 값이었다. 각 전압을 더하면 전체 전압값을 얻을수 있었다.
실험③
-키로히호프의 전류법칙에 의하면 전류가
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전류제한기의 사고전류제한 특성을 보여준다. 사고 전에는 철심 내부의 자속이 상쇄도어 각 코일의 전압이 제로값을 유지하고 있는 것을 볼 수 있으며, 사고와 동시에 초전도 소자에 저항이 발생되어 각 코일의 전압이 발생되는 것을 확인할
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측정됨으로서 여러 다른 요인으로 발생되었음을 짐작할 수 있다.
III. 결 론
전압에 따라 전류가 급격히 감소하는 현상을 NDR(negative differential resistance) ReRAM 물질은 저항이 큰 상태에서 저항이 작은 상태로 전기적 특성이 변화하면서 스위칭 특
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전압을 가한 후에 DLL의 파형을 측정하였다.
그림 35. 입력전압 1
그림 36. 입력전압 2
그림 37. DLL의 동기화 된 파형
9. 결론
DLL은 마이크로프로세서 및 메모리 인터페이스 등과 같은 여러 응용분야에서 필수적으로 사용되고 있다. DLL은 칩간의
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전압() = 260[V]
정격전류() = 90[A]
정격속도() = 1850[rpm] 1850×=193.728[rad/s]
전기자 등가저항() = 0.35[Ω]
전기자 등가인덕턴스() = 6.5[mH]
토크상수() = 1.14[Nm/A]
전동기 관성(J) = 0.001[]
마찰계수(B) = 0
부하토크() = 0
○ 계산
정격출력
정격토크
정격속도
[rad
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전압 및 전류등 기본개념과 회로의 해석을 배웠으며 페이저 해석 및 상호인덕턴스의 회로 해석을 하였습니다. 마지막으로 주파수 응답, 라플라스 변환과 이를 이용한 회로를 공부하면서 2단자망 및 4단자회로망을 공부하면서 파라메타의 의
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저항을 위한 실험을 위하여 저항기 색 코드와 저항값 측정 방법에 대하여 습득하였습니다. 전류계, 전압계, 멀티미터 등을 활용하여 각종 회로의 전압, 전류 등의 측정 방법에 대하여 습득한다. 옴의 법칙에 대하여 실험적으로 확인하고, 원하
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호프의 전압 법칙(KVL)과 전류 법칙(KCL)을 설명하고 이를 적용하여 주어진 회로의 전류와 전압을 계산하시오.
□ 저항이 직렬로 연결된 회로의 전체 저항을 구하시오.
□ 저항이 병렬로 연결된 회로의 전체 저항을 구하시오.
□ 오옴의 법칙
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법칙에 대해 설명하시오.
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반도체에 Si를 쓰는 이유는 무엇인가?
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열역학 법칙에 대해서 설명해 주세요.
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반데르발스 방정식과 이상기체 방정식이 다른 이유는 무엇인가?
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CMOS 인버터를 그려보고 동작과정 설명하시오. 1. 면접경험&꿀
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