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병렬로 무수히 많이
연결된 회로에서 특정저항의 전류를 측정하기 위해서는 구하려는 특정저항을 제외한
나머지 병렬저항의 등가저항을 구한 다음 특정저항과 전류분배법칙을 이용하면 쉽게 구할
수가 있다. 1. 실험결과
2. 실험고찰
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이 가지고 있는 내부저항, 저항이 갖는 +오차로 인해 값이 다르게 나왔다.
실험을 하면서 주의할 점은 DMM로 전류를 측정할 때 반드시 직렬로 연결해야 한다.
그 이유는 DMM가 전류를 측정하는 단자내부에 입력저항이 매우 낮아서 병렬로 연결
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전압이 15V가 나오게 전원 전압을 16.8V로 만든 이후에 실험을 하였다. 표 4-4에서 오차를 살펴보면 과정②와 과정④ 에서 0%부터2.38%까지 나타나는데 크기가 그렇게 크지는 않게 나왔다. 그리고 단순한 직렬회로 보다는 직렬회로와 병렬회로가
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회로에 KVL을 적용하면
로 선택하면 가 되고 이 값을 토대로 직선을 그려 쇼클리 방정식 그래프와 교차하는 점이 동작점이다. 이므로 가 커질수록 기울기는 작아진다.
출력단의 는 출력 측에 KVL을 적용하면
5. 전압분배기 바이어스 회로
BJT의
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회로를 사용하는 주된 이점은 트랜지스터의 β값이 회로의 직류전압에 대한 영향이 작다는 점이다. 이 회로는 2개의 바이어스 전원을 사용하는데 VEE의 전압은 RE, RB 및 V로 분배되어진다.
전압분배 바이어스
전압 분배라는 것은 외부 저항 R1과
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회로도
표 26-1 교차 왜곡이 없는 경우의 전압분배기
파 라 메 터
측 정 값
저항 5KΩ
저항3.5Ω
VBE1
310.5
0.69
165
VBE2
314.7
0.68
207
VE
4.53
3.8
4.1
표 26-2 교차 왜곡이 없는 경우의 다이오드(전류미러)
파 라 메 터
측 정 값
VB1
0.558
VB2
0.540
VE
4
표 26-3 B급 증
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회로
-브리지회로는 측정 기기와 다른 응용분야에서 널리 사용되는 회로이다.
-브리지회로에 평형을 유지하기 위해서는 가 되어야 한다.
-을 만족할 때, 가 성립한다.
(4)△회로와 Y회로의 상호 변환
-회로 해석에서 필요에 따라 Y(T)회로와 △(
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션 하라
NMOSFET의 전압분배 바이어스 동작점
이론값
시뮬레이션 값
2.16V
2.177V
5.3V
5.235V
1.66mA
1.574mA
■ 모의실험회로 3 : NMOSFET 공통 소스 증폭기 회로를 시뮬레이션 하시오
Ch A의 출력값의 평균이 “0”이 아니라서 DC Offset을 1mv로 주어 평균값을
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수식을 사용하여 각 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 β를 구한다. 바이어스 점을 찾는다. ① BJT의 동작 모드
② 1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT 바이어스 회로
③ 전압분배 회로를 이용하는 BJT 바이어스 회로
④ 자기 바이어스 회로
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가장 많이 사용된다.
PSPICE 컴퓨터실습
**15-1
-교류결합 다중 증폭기
-교류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**15-2
-직류결합 다중 증폭기
-직류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**참고문헌
네이버
구글
전자회로 설계 및 실험 교재 1. 이론
**기초적 이론
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