|
위치)에 위치하도록 영점조절을 한다.
(5) 회로를 연결하고 전원장치의 전압을 약 10V정도 가하여 이동단자를 수조 상에서 이동하여 전류가 흐르지 않는 지점(전류계 바늘이 0위치) 들을 잡아 용지 위에 표시해 간다.
(6) 고정 단자를 다른 위치
|
|
|
때의 등가저항을 구하기 위해 폐회로를 구성한다. 즉 은 short 에 , 는 하나의 저항값에 위치시킨다.
전압 를 5까지 5/12씩 변화시키면서 이때 회로의 총 전류 를 측정한다.
와 의 그래프를 그리고, 기울기를 통하여 회로의 총 저항을 구하고 이
|
|
|
전압 별 드레인 전류 값들을 정리한 표를 포함하였다. 또한, 이러한 데이터를 기반으로 한 그래프를 제시하여 JFET의 V-I 특성을 시각적으로 확인할 수 있도록 하였다. 데이터는 다양한 게이트 전압에서 측정한 드레인 전류의 변화 양상을 보여
|
|
|
전류가 잘 흐르지 않고 주로 저항이 큰 도체 A 에 많이흐른다.
*기동토오크는 2 차 저항손에 비례하기 때문에 도체 A 에 흐르는 전
류에 의해 큰 기동토크를 얻고 속도가 증가하면 슬립 S 가 작아져
2 차주파수도 작아지므로 도체 B 의리액턴스
|
|
|
전압을 생성한
다. 온도 변화에 거의 의존하지 않으며 복잡한 회로설계에서 인기가 있다.
2. 이상적인 연산 증폭기
가장 이상적으로 동작하는 증폭기로 ????+와 ?????의 전압은 0이 되고 ????+,?????에 들어가
는 전류는 0이 된다. 이득이 무한대이
|
|
|
회로의 동작은 저주파수의 입력에 대해서는 귀환루프의 커패시터 은 개방되어 전압이득을 가지는 반전증폭기와 같은 동작을 하고, 주파수가 증가함에 따라 귀환루프의 리액턴스는 감소하고 그에 따라 귀환루프의 임피던스도 감소한다. 결과
|
|
|
회로의 전류 값이 바뀌게 되고, 전류의 시간적 변화율에 의해 발생되는 유도기전력을 측정할 수 있었다. 실험결과로 얻은 그림들을 보면, 주파수가 높은 경우 가 되어, 전류의 그래프는 전압의 그래프와 90도 다른 위상을 갖게 됨을 볼 수 있다
|
|
|
전압을 0V에서부터 서서히 증가시켜 가속전압이 150V가 되게 한다.
(4) 필라멘트가 달구어지면 양전극의 작은 구멍을 통과하는 전자선 속이 관찰된다. 양전극에 흐르는 전류를 밀리암미터를 이용하여 측정하고, 5∼10mA 되게 필라멘트 전류를 조
|
|
|
전압 하에서 저항을 통하여 커패시터가 충전되는 경우에 시간에 따른 전류는 키르히호프의 법칙으로 결정될 수 있다.
----------------------- ⑴
그림 2. 시간에 따른 커패시터의 충방전 과정
4. 실험방법
(1) 커패시터의 충ㆍ방전회로를 구성한다.
(2
|
|
|
회로일 때 각 저항별 전압이 같고, 병렬에서 각 저항별 전류가 같음을 알 수 있었다. 그림 10에서는 앞 내용을 모두 한번에 확인이 가능 했다.
그림 10에서 저항 색띠의 저항값과 실제 측정값이 다름에도 불구하고 전류, 전압의 값이 같은 것을
|
|
메뉴펼치기
