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회로를 (선형)회로라 한다.(2) 저항에 대한 전압-전류 그래프는 (선형성)이다.(3) 위 회로 해석에 필요한 최소 루프전류의 수는 (3개)이다.(4) 위 회로에서 전압원 V에 의해 회로에 공급되는 전류 I를 구하기 위해 루프전류 방법을 사용한다. 모든
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회로의 전압
이론 값 : R3에 흐르는 전류와 전압이 0 이므로 전압은 R1과 R2에 각각 나눠 걸린다.
따라서 25v * (1/(1+1)) = 12.5v 가된다.
실험 값 : 12.38v
오차 : ｜12.5-12.38｜= 0.12
오차율 : 0.12 *100 = 12%
2. 테브닌 회로의 저항
이론 값 : 전압원을 제거했을
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전압은 나올 수 없다. 또한 실제 OP Amp에서의 전압 이득은 단순한 상수가 아니고 주파수와 상관 관계를 가진다.
아래의 그림은 op amp를 통해 구성한 inverting amplifier 회로이다.
위의 회로에서 op amp의 + 단자는 접지되어 있다. Op amp에서 + 단자
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회로 일부를 형성하고 있을 때 선간전압과 상전류는 대칭이 된다. 선전류 가 되며, 순서를 abc라 하면, 이 된다. 따라서 대칭 Δ부하에서 선전류는 상전류에 비해 배 만큼 크고 위상은 항상 30 뒤진다는 것을 실험을 통해 확인할 수 있었다. 위의
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어진 실험 회로를 브레드 보드에 구성하라. 저항 R1=200[Ω], R2=330[Ω], R3=470[Ω]을 사용한다.
(2) 직류전원 공급 장치의 출력단 P1을 5[V]로 설정한 다음 실험 회로에 연결하라.
(3) 멀티미터를 전압 측정 모드로 설정하고, 저항 R1, R2, R3에 걸린 전압
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회로를 만든다.
전원 공급장치 4번 단자와 교류 전류계 I1의 한 단자를 접속하고 전류계 I1의 한 단자와 변압기의 1번 단자를 접속하고 변압기2번 단자와 전원 공급장치 5번 단자를 접속시키고 변압기5번 단자와 6번 단자 사이에 교류전압계 E2를
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회로
: 다이오드 도통,
: 다이오드 차단, = 0
입력신호의 진폭이 보다 커야 반파 정류 이루어짐
반파 정류된 출력값의 평균
리미터: 교류 전압의 진폭을 제한
클램퍼: 교류전압을 미리 정한 레벨로 제한
(2) 피이크 역전압 (PIV)
PN 접합 다이
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전압이득은 작아지며 작아지면 이득은 커진다.
☞ : 은 보통 수백이상 이므로 개방회로로 대치
☞ : 의 영향은 무시할 수 있을 만큼 작기 때문에 단락회로로 대치
3. 그림 7.6에서 이 개방된 경우 출력전압은 어떠한 영향을 받는가?
☞ 회로에서
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전압이 증폭기에 인가될 때 행하는 해석으로 증폭기의 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 것이다.
1) 직류해석
≪ 그 림 ≫
(그림 2)
공통-이미터 증폭기 회로에서 커패시터들은 직류를 차단 하기 때문에 증폭기의 직류 해석에
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회로를 보면 = 5V 주파수가 10KHz의 구형파가 TTL소자인 7406에 입력된다. TTL은 BJT방식으로 동작하고 또 출력 전압의 HIGH가 CMOS의 입력 HIGH보다 낮은 경우가 발생하므로 이 부분을 보상하기 위해 PULL UP 저항 15㏀이 사용되었다. 4001핀 1번에 다소 낮
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