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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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측정 감도는 10bit A/D 컨버터임으로 약 5mV(5V/1024)이다.
<그림 4> 전압 측정 회로
3. 전류계
<그림 5> 전류 측정 회로
직접 전류를 측정할 수 없기 때문에 저항에 걸리는 전압을 측정하여 연산을 통해 전류값을 구한다. 측정하고자하는 전류
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많이 있지만, 예비보고서 이론 조사를 하면서 전반적인 지식을 얻을 수 있어서 전자회로 이론 수업시간에 다시 듣는다면 수업을 더 잘 들을 것 같다. 실제 실험에서 Multisim으로 구한 실험값과 ELVIS로 구한 측정값이 같은지 확인하겠다.
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종성 역 : 기초 반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 다이오드의 전압?전류 특성
Ⅲ. 다이오드의
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사용이유를 실험한 적이 있는데 BUFFER는 일반적으로 신호의 증폭이나 BOUNCE 현상을 제거하기 위해 쓰인다. 따라서 위 회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다.
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측정 직류회로에서는 각각의 저항 값에 비례하는 경향의 부분전압을 확인 가능하였고, 일부 손실 되었다고 생각되는 전압은 측정 장치와 저항의 기판에 할당이 되었다. 미세한 정밀도를 요하는 실험에서는 실험 전에 전압원의 input과 아무저
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위키백과, 함수발생기(Function Gernerator)
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84m, 위키백과, 오실로스코프(CSC) 1. 이론
2. 실험회로 구성 및 방법
3. 실험결과 및 분석
4. 참고문헌
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회로를 해석하라. 이 결과를 2(f)에서 측정한 값과 비교하라.
컴퓨터 VO = 1.378 V
2(f) 측정값 = 1.407 V
컴퓨터 ID = 1.378mA
2(f) 측정값 = 1.4mA
Pspice 모의실험 3-2
1. 아래 회로의 바이어스 동작점 해석을 수행하라. 바이어스 해석은 이 회로의 직류 전압을
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기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1.실험 목적
2. 질문
1) Bipolar Junction Transistor
2) BJT 증폭기 회로 해석을 위
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