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물리전자공학 기말고사 solution
문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier 농도 를 측정한 결과가 아래와 같다. 여기서 A, B, C 가 어떤 반도체인지 근거를 제시하여 설명하라. (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67
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공학회
▷ 백영현(1974), AgI 결정면에 물의 흡착에 관한 이론적 고찰, 한국표면공학회
▷ 박노길 외 3명(1993), 산소 흡착에 의한 텅스텐 결정면의 일함수 변화, 한국진공학회
▷ 박용수(2005), 물리전자공학기초, 내하출판사
▷ 장광균 외 4명(1993),
결정면 구면투영, 바이스계수 지수, [결정면, 바이스계수, 구면투영, 지수, 스트레오투영, 반도체공학, 반도체, 텅스텐 결정면, 텅스텐, 스테,
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1.실험제목 : 전자공학센서 활용 및 실험 데이터 분석
5.실험목표
6.실험 배경 요약
7.실험 장비 및 재료
8.실험 과정 및 실험 구성도 요약
10.실험 및 분석 결과
11.결론
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1.실험 목적
Hare의 장치를 이용하여 액체의 밀도를 측정한다.그리고 그 과정에서 뉴터의 운동 제 1법칙의 적용과 액체(유체)내의 압력에 관한 정의를 이해한다.
2.기본 원리
피펫필러K를 이용하여 고무호스 H를 통해 유리관 내의 공기를 뽑
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전자의 비전하 값을 측정해 봄으로써 자기장 내에서 운동하는 하전입자는 자기력을 받는다는 것을 이해하고, 확인해 볼 수 있었다.
물리실험 레포트
전자의 비전하 측정 실험 [1]실험값
[2]결과분석
[3]오차 논의 및 검토
[4]결론
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