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회로는 완벽했으나, 배선의 문제와, 트랜지스터 내부의 결함, 또한 저항과 트랜지스터를 제대로 꼽지 않아 발생한 문제들이 있었다. 결과 3-25 차동 연산증폭기
실험 목적
․ 연산증폭기를 사용한 감산기와 차동 증폭기의 특성을 조
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증폭기의 증폭 비율이 상승 한다는 것도 알 수 있었다. 그리고 부하저항이 있는 경우와 없는 경우 비교시 없는 경우가 전압이득이 더 큰 것을 알 수 있었고 그리고 C-D Amplifer에 대해서도 더 자세히 알 수 있었다.
이번실험을 하면서 전자회로
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및 처리가 가능해짐을 알 수 있었다. 이 연구를 통해 얻은 지식은 앞으로의 전자 공학 및 회로 설계에 있어 중요한 기초 자료가 될 것이다. 1. 실험 개요
2. 전기적 특성 분석
3. 결과 해석
4. 이론적 배경
5. 실험 방법론
6. 토의 및 결론
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드레인 전류 ID가 제어된다.
(나) 채널 내부에서의 전자의 움직임 :
① VGS를 변화시킴으로써 VDS에 영향을 받지 않고 채널을 변화시켜 ID를 제어할 수 있다.
[4] 감소형과 증가형
① 감소형 : 절연 게이트형(MOS형)FET는 게이트 전압 VGS가 가해짐에
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실험에서는 약간의 오차가 발생하였습니다. 그 이유는 계산과정에서 약간의 오차가 있어서 결과값과 측정값의 차기가 발행 한것 같습니다. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
실험 순서
1. Idss와 Vp측정
2. 공통 소스 회로의 직류 바이어스
3
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회로도
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
[회로 해석]
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier)
4. 시뮬레이션 결과
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amp
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실험해보며 기억속에 더 자리잡게 해줬고 소스 접지 증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계산해보고 동작에 대해서 공부해볼 수 있는 기회였다. 1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화
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적으며, 이면 이다. 소스에 출력이 있으므로 입력 전압과 동상이다.
① 전압 이득
② 입력 저항
입력 신호가 Gate에 공급되므로 입력 저항은 CS 증폭기와 같이 매우 높다.
여기에서, 이다. 1. 실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
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흐르지 않게 된다.
④ 공통 드레인 증폭기 회로의 전력이득은 왜 낮은가?
전압 이득과 입력 임피던스가 낮기 때문에 당연히 전력이득이 낮아지게 된다.
연습문제
① 그림 18-7에서 일 때 양단전압 를 계산하여라.
※ 종합 검토 및 논의
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실험이 완료된 후, 얻은 데이터를 바탕으로 회로의 특성을 분석하고 MOSFET 기반 공통 소스 증폭기의 응용 가능성을 논의한다. 마지막으로 실험 결과를 정리하고, 향후 개선 방향과 추가 실험 계획을 수립한다. 이 과정은 전자 회로에 대한 이해
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