|
차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
|
|
|
of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
|
|
|
3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. RL 및 RC병렬회로
|
|
|
결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
|
|
|
1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저항 전압 전류 측정
옴의 법칙과 저항의 최대허용전압
계산과정 사진 첨부 1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저
|
|
|
전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
|
|
|
실험을 진행한다.
4.주의사항
잘못된 회로 같은 경우에는 전류를 조절하여 높일 때, 전압이 증가를 하지 않는 경우가있는데,
이 경우 즉시 회로를 점검하여, 잘못된 부분을 수정해준다.
고장부위 확산을 막기위함.
Reference
[전자회로실험]
이현
|
|
|
016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
018. JFET 바이어스 회로 설계
019. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
020. 다단 증폭기 (RC 결합)
021. 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
022. 차동 증폭기 회로
023. 선형 연산 증폭기 회로
024. 능
|
|
|
회로를 구성한 후 저항기 측정 실험에서는 미지의 저항값의 측정 범위를 조작할 수 있는 실험이다. 이것은 라는 식에서부터 과 의 비율을 달리함으로써 조절할 수 있다.
즉, 미지의 저항의 측정범위가 30㏀이므로 의 값을 1㏀으로 하고 의 값을
|
|
|
JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도록 바이어스 한다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 1
실험방법 및 유의사항 5
참고문헌 5
|
|
메뉴펼치기
