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d)
(0=0V, 1=5.05V)
A
B
C
D
ABCD = F
ABCD = F
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
1
1
1
1
0
1
4. 고찰
even과 odd parity 회로의 실험에서 모든 경우의 수를 실험
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[V]
8.201 [V]
9.427 [V]
9.583 [V]
9.746 [V]
① (= 100으로 가정)
②
③
④
⑤
실 험 결 과
<표 6-3> 전압분배기 바이어스회로 실험결과 기록표
측 정 량
측 정 값
이 론 값
트랜지스터
트랜지스터
1.932 [V]
2.05 [V]
1.254 [V]
1.35 [V]
2.67 [mA]
2.87 [mA]
5.3 [V]
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실험이론 ………………………………… 3P
3. 필요부품 및 기기 ……………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
5. LPF, HPF란? ………………………, , 5P
6. 실험과정 ………………………………… 6P
7. 소감 및 고찰
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회로가 실제로 정상적인 동작을 하지 않을 때와 같이 대책을 세우기 어려운 경우는 거의 없는 것 같다. 그럼에도 불구하고, 이번 실험에서는 그 원인을 빠른 시간에 잘 찾아낼 수 있어서 자칫 어려워 질수도 있었던 실험을 아무런 어려움 없이
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실험에서 우리는 J-K플립플롭의 특성에 대해서 알아보았습니다. 지난주에 했던 D-플립플롭 실험과 아주 유사했으며 특히나 S-R플립플롭과 기능이 아주 유사했습니다. 다만 개선된 점이 있다면 J-K플립플롭은 S-R 플립플롭과 다르게 무정의 조건
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회로를 설계할 수 있을 것이다. 전체적인 평가와 분석을 토대로 실험적 검증을 수행하고, 성능 최적화를 위한 반복적인 개선 과정을 이어가는 것이 중요하다. 1. MOSFET 다단 증폭 회로의 기본 이해
2. N-채널 MOSFET을 이용한 증폭 회로 실험
3
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실험의 회로들에게는 자체적으로 20mV 정도의 noise가 섞여있었기 때문에 어느 정도의 큰 input(100mV)의 사용이 불가피하였다. 이에 따른 부작용으로 증폭된 signal이 clipping 되어 증폭지점을 잡는데에서 오차가 발생하였을 수 있다. gain은 time축을
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실험값)
-2.186V
(이론값)
-2.2V
오 차
0.66%
100 kΩ
10.173V
1.021V
Voltage Gain
(실험값)
-9.964V
(이론값)
-10V
오 차
0.36%
※ 0.3 ~ 2.4% 사이의 작은 오차 발생.
■ 결과에 대한 고찰
이번 실험에서는 회로도를 보고 직접 브레드보드에 회로를 구성하여 제작하고
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실험을 해보도록 하자.
2. CLK = 1, CLR = 0, J = 1, K = 1 의 계산을 행했을 때. (786ns)
위 결과화면대로 CLK = 1, CLR = 0, J = 1, K = 1의 값을 넣고 실행했을 때 Q에 1,
QB의 값에 0이 나오는 것을 확인할 수가 있다. 따라서 이번 실험의 회로도와 실험의 결과를
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이번 실험은 회로를 보고 직접 브레드보드에 회로를 구현해서 회로가 제대로 동작을 하는지 확인하는 실험이었다. 그런데 브레드보드를 처음 써보는 데다가 그림에서 보는 것과 회로를 구성하는 것은 천지차이여서 처음에 많이 헤맸다.
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