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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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지 않아 포화라는 표현 사용.
BJT가 포화모드에 있으면 컬렉터와 이미터 사이의 전압이 대략 0.7V 미만이므로 BJT가 닫힌 스위치로 동작함.
(5) 차단모드
B-E 접합: 역방향 바이어스 for NPN, for PNP)
- 역방향 바이어스에 의해 전위장벽이 높아지게
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바이어스
2) 역방향 바이어스와 항복현상
3) 순반향 바이어스된 PN접합 다이오드
4) 역방향 바이어스된 PN접합 다이오드
5) 이상적인 반도체 다이오드
6) 다이오드의 혁명
7) 다이오드의 파라미터
8) PN접합 다이오드
9) 다이오드
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< 실험목적 >
- 다이오드의 구조 및 동작원리를 이해하고, 접합다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스 효과에 따른 전압, 전류특성을 실험하고 이해한다. 또한 다이오드의 종류 Si, Ge에 따라 전위장벽의 변화 및 특성 등에 대
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흐르지 않는데, 이 실험결과와 거의 일치한다고 볼 수 있다. 물론 파워 서플라이의 한계로 -45V까지는 실험하지 못했지만, 어느 정도의 결과는 이끌어 냈다고 볼 수 있다.
또한 이 실험 결과를 토대로 순방향 전압이 걸릴때의 전류-전압 곡선을
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