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다이오드의 종류 Si, Ge에 따라 전위장벽의 변화 및 특성 등에 대하여 검토한다.
< 이론개요 >
- 다이오드의 정의
- 다이오드의 종류
- 다이오드의 원리
- 접합 바이어스(순방향, 역방향)
- 실리콘과 게르마늄 다이오드에 대한 특징
* 다
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정의된 것과 같이 다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점회전위(문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
(Si)= 0.7V
(Ge)= 0.3V
4. 토의 및 고찰
실리콘과 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성에 대하여 실험을 하였다.
다이오드의 순방향과 역방향의
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1.반도체
2.에너지대
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드
6.실제적인 다이오드의 특성
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
8.Zerner영역
9.실리콘과 게르마늄 다이오드
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실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자 대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드 특성
6.실제적인 다이오드의 모델
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
8.Zerner 영역
9.실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드
10.다이
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다이오드가 역바이어스시 다이오드 전압 (위그림에서) 는 를 따르며, 이 때문에 다이오드는 매우 큰 저항값을 갖게 된다. 또한 이 순방향 비어어스시 전압강하()는 0이 아니며, 작은 정의 값을 가짐에 주의해야한다. 이것이 다이오드 순방향 전
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