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회로에서 단락된 곳에 흐르는 전류를 계산한다. 이 단락회로 전류가 이다. 을 계산하기 위해서는 옴의 법칙과 키르히호프의 법칙이 필요 할 수도 있다.
노튼 저항 은 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구
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리드선 연결을 완성했다.
둘째, 실험 전 조교님의 사전설명에 있어 조교님이 말씀하신 것처럼 리드선을 회로의 100옴저항에 연결한다하더라도 그 저항의 실제저항은 100옴이 아닐 수가 있다는 데서 오차의 원인을 찾을 수 있겠다.
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및 병렬회로
- 노턴의 정리
- 미분회로와 적분회로
- 옴의 법칙
- 인덕터
- 전압 배율기와 전류 분류기
- 중첩의 원리
- 직렬과 병렬
- 최대전력 전달조건
- 커패시터
- 키르히호프의 법칙
- 테브난의 정리
- 휘스톤 브리지
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회로>
콘덴서 C 만의 회로에 교류 전압을 가하면 키르히호프의 법칙에 의해 V0sin(ωt)- 1/C ∫Idt = 0
여기서 양변을 미분하면 ωV0 cos(ωt)-1/C I = 0
∴ I = ωCV0, cos(ωt)= ωCV0, sin(ωt+π/2)
즉, 직류에서 와는 달리 회로에는 전류가 흐르고 있으며 전류
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회로를 끊어서 그 사이를 멀티미터로 측정하여 직렬로 구성하였고, 전압은 회로를 다 연결한 후 구하려고 하는 두 점사이에 멀티미터로 측정하여 병렬로 구성하였다.
(4) 저항의 직렬연결과 병렬연결에서 Rs와 RP를 키르히호프의 법칙을 써서
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옴의 법칙과 키르히호프의 법칙을 통해 단자에 흐르는 전류를 측정할 수 있습니다.
하지만 그 단자에서 저항을 바꿔가며 전류를 측정한다면 많은 식과 반복적인 계산이 필요하게 됩니다. 그러나 테브냉 등가는 단자 동작에 초점을 맞춘 회로
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회로이론의 기초
1.1 전하와 전류
1.2 전위와 전압
1.3 전위와 전압의 기준방향
1.4 전력 및 전력량
1.5 옴의 법칙
1.6 줄의 법칙
1.7 키르히호프의 법칙
제2장 기본회로소자
2.1 수동소자
2.2 능동소자
제3장 교류회로의 기초
3.1 전류.전압
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키르히호프 전류법칙에 입각해서 본다면 당연한 현상이겠지만 옴의 법칙에서 생각해 보았다. 부하전류가 증가한다는 것은 I=V/R에 따라 부하의 저항값이 줄어든다는 것이고 부하의 저항값이 줄어들면 전체 저항값에 비례해서 상대적으로 고
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옴의 법칙, 키르히호프의 법칙
실험 5. 직․병렬 회로/전체 저항/분류기/분압기(배율기)
실험 6. 중첩의 원리
실험 7. 테브냉의 정리
실험 8. 노턴의 정리
실험 10. 최대 전력 전송 정리
실험 11. 오실로스코프의 사용법
실험 12. 신호 발생
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법칙에 의해, 베이스 저항에 걸린 전압은
가 된다.
Ebers-Moll 모델에 의하면,, 그러므로
이다.
옴의 법칙에 의해, 베이스 전류, 그러므로
그래서 베이스 전류는
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1-a : BJT 전
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