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정리에 의한 전위차, 전류값
V = = 7.5 ∴ V = 7.5V
I = = 0.375 ∴ I = 0.375mA - 목 차 -
1. 제 목
2. 목 적
3. 실험 내용
(1) 관련 이론
• 중첩 정리
• 테브난 정리
• 노튼 정리
4. 시뮬레이션
(1) 회로 4-1
(2) 회
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ex10 전압 분할 회로(무부하)
ex18 전압 분할 회로(부하)
3-2 ex16 키르히호프 전압법칙
ex17 키르히호프 전류법칙
3-3 ex21 최대 전력 전송
3-5 ex24 중첩의 정리
3-4 ex23 평형 브리지 회로
3-5 ex25 테브난 정리
ex26 노튼의 정리
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중첩의 원리를 적용하여 각 전원을 한번씩 단락 시키고 이 전 1. 목적
2. 이론
1) 옴의 법칙(Ohm's law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브
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되어 있다는 사실만을 이용하여 부하 저항에 흐르는 전류의 값을 쉽게 구할 수 있었다. 또한 부하 저항의 값이 커질수록 그 저항에 흐르는 전류의 값이 작아짐을 측정할 수 있었다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. PSpice 시뮬레이션 및 고찰
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및 토론
이번 실험은 테브난의 정리와 노튼의 정리를 이용하여 복잡한 회로를 간단히 바꾸어 부하 저항을 연결했을 때의 전압 및 전류의 값을 측정하는 실험이었다. 실험1을 통해 테브난 등가 전압과 테브난 등가 저항을 계산 및 측정할 수 있
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