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공정에서 가운데 부분을 현상하기 위해 오랜 시간 AZ500MIF용액에 오랜 시간 두어야 했고, 그 결과 부분적으로 외곽선이 over etching 된 점이 아쉬운 부분으로 남았다.
3학년 1학기에 반도체 직접회로 공정과목에 대한 예행 실험으로 생각되어, 과
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0.18μm Tech를 위주로 공정을 설계하였습니다.
단위공정에 대해 공부를 한적이 있다면
알기쉽게 정리되어 있으며
STI, LDD,Poly Gate등 여러 기술들을 사용하였습니다. 1. 문턱전압을 조절하기 위한 이온주입양 설계
2.. 트렌지스터의 폭과 너
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커지게 될수록 발열량이 많아진다 이 길게 뻗게 되는 선저항을 돌돌 말아 사용하게 되면 선수 n배 만큼 발열량이 커저 히타의 역할을 할 수있게 된다. 실험6. 집적회로 소자 공정 실험 결과보고서
4. 예비보고서
7. 결과보고서
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집적회로(Integrated Curcuit)기술 작성자 정석균
http://blog.naver.com/nanomate/110009231736
- 하이닉스|작성자 표
- [화성 = 김웅철 기자] < Copyright ⓒ 매일경제.> ♣ IC(집적회로)의 제작공정
1. 반도체 개요
2. 반도체의 제조
1) 웨이퍼 제조공정
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공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
5. 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플롯존법(F
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